金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法”的专利，公开号CN119342835A，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置包括：栅极层叠物；通过栅极，通过栅极与栅极层叠物的接触区域交叠并且使栅极层叠物的单元阵列区域开口；掺杂半导体层，掺杂半导体层与通过栅极间隔开并且与栅极层叠物的单元阵列区域交叠；以及有源柱，有源柱穿过通过栅极。
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