金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN119495584A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，包括隔离区和器件区；形成位于器件区上的器件结构，所述器件结构包括第一层结构和位于第一层结构上的第二层结构；形成位于晶圆上的隔离结构，所述隔离结构位于隔离区上，以及位于器件区器件结构之外的区域上，所述器件结构位于所述隔离结构内；获取所述第二层结构和第一层结构是否发生电失效的情况；若所述第二层结构和第一层结构电失效，则获取所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况；根据所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况，对所述晶圆进行激光退火处理，使所述第二层结构和第一层结构恢复电连接。所述方法使得半导体结构的应力情况得到改善。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元，实缴资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目49次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。
本文源自：金融界
