金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，青岛海存微电子有限公司申请一项名为“半导体存储结构及其形成方法”的专利，公开号CN119654054A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体存储结构及其形成方法，涉及半导体技术领域，用于提高半导体存储结构性能。该结构包括：自旋轨道矩层，以及设置在自旋轨道矩层上的存储磁隧道结、虚设磁隧道结和介质层；虚设磁隧道结位于存储磁隧道结的旁侧；介质层至少填满存储磁隧道结和虚设磁隧道结之间的空隙；自旋轨道矩层以存储磁隧道结、虚设磁隧道结和介质层为掩模刻蚀形成。本申请提供的半导体存储结构及其形成方法无需为自旋轨道矩层设置光罩，能够简化形成过程，同时还可以避免存储磁隧道结和自旋轨道矩层产生套刻偏移，保证存储磁隧道结和自旋轨道矩层对准，从而提高写入电流效率，以提高半导体存储结构的性能。
天眼查资料显示，青岛海存微电子有限公司，成立于2023年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本39000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛海存微电子有限公司参与招投标项目5次，专利信息87条，此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自：金融界
