据韩国媒体Business Korea报导，三星电子已于第四季度在平泽P2厂建立10nm级（1d）的第七代DRAM测试线。业界也将此测试线称为“单路径线”（one path），预期明年第一季度将完全建成。
报道称，测试产线是测试新半导体产品量产潜质的设施，一旦下一代芯片性能在研发阶段时确定，就会在此引进晶圆，开始提高量产良率。目前还不确定三星平泽10nm级第七代DRAM厂房的规模，但通常安装测试产线每月可处理约1万片晶圆。
三星今年3月在美国举行的“MemCon 2024”活动中曾宣布，计划在2026年前量产第七代DRAM，至于其前身第六代（1c）DRAM，计划明年（2025年）量产。因此，这条第七代测试线与第六代DRAM量产的准备工作同步进行。
三星计划明年初开始以平泽P4厂为中心引进半导体设备，生产10nm级第六代DRAM，并加快良率提升的脚步，目标是明年5月前取得内部量产认证（PRA）。此外，为了顺利第六代DRAM量产，三星还将DRAM相关人员从华城厂调派至平泽厂。
也就是说，三星在第六代DRAM还没进入量产阶段前，就已经开始为第七代DRAM建置厂房。外界认为，三星此举是为明年重夺优势而提前进行投资。做为全球DRAM制造龙头大厂，三星这两年遭遇很大的打击，特别是在AI所需的HBM（高带宽内存）市场，SK海力士的市场份额大幅领先于三星。此外，在10nm级第六代DRAM的开发速度上，三星也落后于SK海力士。对于三星来说，如果要夺回领导地位，必须加快产品的开发速度，这从三星的新人事变动可以窥见一斑。
三星电子副董事长全永铉（Jeon Young-hyun）从半导体业务的设备解决方案（DS）负责人改为CEO，同时兼任內存业务和三星综合技术院（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）负责人。他以强大驱动力著称，预期将大胆推动三星技术开发和投资。
业界人士解释，全永铉现在可以更密切地参与三星DRAM技术，预计他会从主力产品DRAM开始强力创新。
三星电子也加速投资另一种內存NAND闪存，最近该公司在平泽一厂安装业界第一条400层NAND（V10）测试线，并在平泽四厂NAND厂房添置286层V9设备。
编辑：芯智讯-浪客剑
