台积电2nm工艺或2025年大规模生产

小8说科技 2024-11-22 15:24:21

根据C114+的报道,台积电正在加速2nm产线建设,并扩大产能规划,预计2025年实现大规模生产。

台积电在2nm工艺中首次引入了纳米片(nanosheet)晶体管结构,取代了传统的FinFET(鳍式场效应晶体管)架构。

这种新的晶体管架构能够更好地控制阈值电压(Vt),从而显著降低Vt波动,至少减少15%。

台积电还采用了多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构,进一步提升了晶体管密度和性能。

相比于3nm工艺,在相同功耗下,2nm工艺的速度可以提升10%至15%,而在相同速度下,功耗可以降低25%至30%。这些改进使得2nm工艺在能效比上具有显著优势。

台积电的N2工艺结合了NanoFlex技术,允许芯片设计人员在同一模块中匹配不同高度的元件,从而最大化效能、功耗和面积(PPA)的优势。

这意味着高度较低的元件可以有效节省面积并提高能源效率,而高度较高的元件则能够提供更高的性能。

在2nm工艺中,台积电首次引入了Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管技术。这种技术进一步提升了晶体管的控制能力和效率,是台积电2nm工艺的重要创新点之一。

但是,台积电在2nm工艺上面临的主要技术挑战包括晶体管结构的选择与优化、背面供电技术的应用以及高昂的研发和生产成本。

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