随着技术发展，存储器尺寸不断缩小，存储容量大幅提升。根据数据显示，从20世纪60年代的磁带（平均容量2.3MB ），到70年代流行的软盘（平均容量MB量级），再到90年代的硬盘（容量达1GB量级） ，以及21世纪的DRAM和闪存（平均容量提升至TB量级）。图表展示了存储的进化史，呈现了不同存储设备推出年份、每GB成本、尺寸、容量及使用时长等信息，还直观显示了存储器尺寸减小（从8英寸到3.5英寸再到芯片）和容量变大（从MB到GB再到TB）的趋势。
数字存储的三大存储介质现代数字存储按介质分为光学存储、磁性存储和半导体存储。光学存储有CD、DVD等；磁性存储包含磁带、软盘、硬盘等；半导体存储应用最广、市场规模最大，包括易失性存储器DRAM和非易失性存储器NAND FLASH、NOR FLASH等。
DRAM根据CFM闪存市场数据，2022 年DRAM市场规模约791亿美元，居数字存储市场首位，近年因数据中心、智能手机等需求市场规模总体上升，2019年因扩产能和去库存有所下降。市场格局从“百花齐放”变为“三国鼎立”，三星、镁光、SK海力士成为最终主导者，2022年三家合计市场份额达94%。DRAM发展中，成本、技术、品质是核心竞争要素，考验企业全方位资源储备和调动能力。
闪存（FLASH）闪存具有非易失性，无电流供应时也能长久保持数据，特性类似硬盘，是便携数字设备的存储基础。它是电压控制型器件，存储单元类似MOSFET，因“浮置栅极”及二氧化硅绝缘层而具备记忆能力。闪存主要产品有NAND FLASH和NOR FLASH，前者擦写基于隧穿效应，后者擦除基于隧穿效应、写入采用热电子注入方式，这使得NOR工作功耗高于NAND 。
长江存储长江存储自主开发的3D NAND快速量产，三期规划产能为10万片/月，预计2025年满产。2016年国家存储器基地启动，长江存储成立，是当年国家大基金单笔出资最大项目。大基金二期计划投资800亿元支持。目前，长江存储第三代TLC/QLC 3D NAND已量产，2021年NAND产能占全球6%，市占率达3.4%。
国内存储芯片设计公司
国内存储设备类公司
国内存储材料类公司
国内存储封测端公司
存储相关概念全梳理磁电存储，作为传统且根基深厚的存储方式，主要包括硬盘驱动器（HDD）等。它利用磁性材料的磁化方向来记录数据，如同在磁带上记录声音一样，通过磁头改变磁性颗粒的状态实现数据的写入与读取。尽管随着技术发展面临挑战，但凭借大容量、低成本的特点，在数据中心等对存储容量需求巨大的场景中，依然占据重要地位。
华为存储，代表着华为在存储领域的技术与产品布局。华为凭借深厚的技术积累，推出涵盖全闪存存储、混合存储等多种解决方案。它不仅具备高性能、高可靠性，还深度融合人工智能等技术，能智能管理数据，提升存储效率。在企业数字化转型浪潮中，华为存储为众多行业客户提供了强大的数据存储与管理支撑。
长鑫存储，是国内存储领域的重要参与者。作为专注于动态随机存取存储器（DRAM）研发、生产和销售的企业，长鑫存储打破了国外长期的技术垄断，实现了DRAM芯片的国产化量产。其产品性能不断提升，为国内电子产业供应链安全提供了有力保障，也让中国在全球DRAM市场拥有了一席之地。
