生产首款1000TB SSD的竞赛已经开始，早在2022年，三星就公布到2030年，其最先进的NAND芯片将“堆叠超过1000层”，这意味着PB级SSD届时将问世。

去年，该公司曾表示可能能够更快地交付产品，它显然正在全力推进未来NAND芯片的开发。

三星公司最近宣布将很快开始量产其最新的290层第九代垂直 (V9) NAND芯片，人们普遍预计接下来将推出令人惊叹的430层第十代 (V10) NAND芯片年。

因此，虽然我们不太了解该公司生产首款PB SSD的幕后情况，但网上已经出现了一些线索。

今年在檀香山举行的VLSI技术研讨会上，韩国科学技术院 (KAIST) 的研究强调了铪基铁电材料在低压和高密度3D NAND中的潜力，尚不知道三星在这一展示中是什么角色。

据Xtech Nikkei报道，Kioxia 首席技术官 (CTO) Hidefumi Miyajima 表示，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND内存。在东京城市大学举行的第 71 届应用物理学会春季会议上的演讲中，Miyajima 讨论了在3D NAND器件中实现超过1000层的技术挑战和解决方案。

增加3D NAND器件中的有源层数量是当今提高闪存记录密度的最佳方法，因此所有3D NAND制造商都努力每1.5到2年就推出新的工艺节点来实现这一目标。每个新节点都会带来一些挑战，因为3D NAND制造商必须增加层数并横向和纵向缩小 NAND 单元。这个过程要求制造商在每个新节点都采用新材料，这是一项重大的研发挑战。