韩国媒体传出，美国内存大厂美光（Micron Technology, Inc.）准备量产16层堆栈的第5代高带宽内存“HBM3E”，进度几乎跟SK海力士（SK Hynix）差不多。
爆料人士@Jukanlosreve 16日引述韩国媒体报道，业界消息显示，美光正在进行最后的设备评估，准备量产16层堆栈产品。不只如此，美光同时也大幅加码对关键制程设备的投资。
Report: Micron Preparing for Mass Production of 16-Stack HBM3E
The mass production of 16-stack HBM3E, which will be used in NVIDIA's next-generation products, is reportedly being prepared by Micron almost simultaneously with SK Hynix.
According to industry sources cited by…
— Jukanlosreve (@Jukanlosreve)January 15, 2025
韩国半导体业界人士直指，美光过去在标准型DRAM市场屈居第三，最近却凭借定制化高带宽内存（HBM）和低功耗次世代内存连接成功获取进展，韩国半导体企业必须提高警觉。
据传，英伟达（Nvidia Corp.）次世代产品将搭载16层堆栈的HBM3E ，美光、SK海力士的量产准备进度相近。
美光15日终场大涨5.99%、收103.19美元，创2024年12月18日以来收盘新高；年初迄今已大涨22.61%。相较之下，SK海力士、三星电子（Samsung Electronics）年初迄今仅上涨13.94%、0.94%。
（首图来源：美光）
