韩媒：中国将在两年内实现HBM自给自足，韩国或将失去主导地位！

4月25日，韩国媒体《Newdaily》发表文章称，有预测认为，中国存储器半导体公司可能在两年内开始量产第五代HBM（高带宽存储器）“HBM3E”。为规避美国管制而大力开发通用存储器技术的中国，最近成功实现DDR5量产，凭借着正在加速AI投资的中国国内市场，中国国内市场正在快速增长，预计将对韩国存储器构成威胁。

据半导体行业消息，中国最大的存储器公司长鑫存储正在紧锣密鼓地开发，目标是在量产HBM3的两年后，即2027年量产最新的HBM技术HBM3E。

长鑫存储采用15纳米工艺开始生产最新DRAM DDR5，令韩国存储器行业感到惊讶。就在两年前，该公司还以规避美国严格的半导体监管，仅在传统存储器领域逐步开发技术，但在去年，它的地位上升到了极大动摇DDR4市场的程度，开始给韩国业界带来紧张感。

去年，DDR4市场形势严峻，此前主导市场的三星电子、SK海力士、美光等三家内存公司在长鑫存储的低价攻势下宣布放弃市场。三星电子和SK海力士宣布，今年将迅速将DDR4占比从去年的30%降至个位数，甚至计划在年内完全退出DDR4生产。

韩国存储器企业在短短一两年内迅速将通用存储器市场拱手让给中国的同时，选择专注的领域就是HBM。HBM是一种高性能、高价值的存储器，随着AI市场的快速增长而变得必不可少，并已成为替代现有通用存储器的新收入来源。

随着中国企业纷纷抢占HBM市场，韩国半导体的危机感日益增强。目前，长鑫存储的DRAM总产量中有85%是DDR4，但该公司似乎将重心放在了HBM开发上，这得益于中国IT公司的强大客户群。

很明显，如果长鑫存储成功开发出HBM，会有客户全力购买，这必然会保证其相对于韩国存储器公司的快速增长。

现代汽车证券在最近的一份报告中表示，“鉴于中国DRAM公司正在开发HBM3和HBM2E，中国制造的HBM有可能在未来两到三年内安装到华为的昇腾系列中。”

目前，长鑫存储几乎是中国唯一一家能够开发HBM等高性能DRAM的公司，但也有猜测称，中国长江存储可能会通过其子公司加入HBM量产的行列。自从长江存储凭借其独特的堆叠技术在NAND市场成功量产294层NAND以来，随着AI投资流持续以DRAM为中心，长江存储也在稳步寻求进入DRAM市场。

韩国业内人士表示，长江存储看到了快速增长的HBM市场的潜力，并暗示了进入该市场的可能性。

一些人甚至指出，中国的“HBM崛起”可能会成为韩国将整个液晶显示器（LCD）市场拱手让给中国的噩梦的重演。 

韩国曾一度占据LCD市场主导地位，但由于技术壁垒较低，当中国以低价进入市场时，LG显示器、三星显示器相继退出市场。