12月初，美方再次升级了芯片限制措施，公布了新的出口管制。其中有一项管制就是半导体设备，这里面就包括光刻机。

其实美方关对光刻机的限制很多年前就施行了，比如前几年中芯国际从ASML采购了一台EUV光刻机，但因为美方从中作梗，这台EUV光刻机就被ASML限制出售了。

而在3年前，美方为了限制中高端的浸润式DUV光刻机出口到我国，美方拉着日本、荷兰组成三方联盟，要求日本的尼康、佳能，荷兰的ASML需要获得许可的前提下方可出售先进光刻机。

尼康、佳能在日方的要求下直接限制45nm以下工艺的光刻机出售。而ASML比较委婉，先是限制2000i型及2000i型以后的光刻机出售，后限制1970i型、1980i型光刻机出售。

从EUV光刻机到中高端DUV光刻机，美方可以说不断缩小我国获得先进光刻机的渠道，这确实在一定程度上延缓了我国芯片产业的发展。

此次美方再次升级了芯片限制范围，又把光刻机在内的芯片设备进行限制，这无疑是再一次对我国进行芯片产业脱钩。特别是光刻机设备，我们目前还依赖进口，需要从ASML那里大量采购。

那么问题来了，我国目前的光刻机技术达到何种水平，能否研制先进的光刻机呢？我们简单的分析一下。

目前国内最先进的光刻机制造商是上海微电子，按照这家厂商目前的技术，研制EUV光刻机是毫无可能的。

当然了，这也不是什么长他人志气灭自己威风的事，毕竟全球只有ASML能够生产EUV光刻机，强如尼康、佳能在EUV光刻机领域也是无能为力。

而在浸润式DUV光刻机领域，尼康、佳能还是有点实力，占据了一些浸润式DUV光刻机的份额。反观上海微电子目前的光刻机水准距离浸润式光刻机还有不小的距离，这是我国光刻机技术当下的局面。

不过我们也不要气馁，即便我国无法自研EUV光刻机，距离自研浸润式DUV光刻机有不小的距离，但根据我国目前已有的技术，我认为浸润式DUV光刻机在未来10年内研制成功。为什么这样说呢？理由有三。

第一，前段时间我国公布了一款65nm光刻机，这种光刻机套刻工艺8nm，照明波长193nm。按照波长来看，这种光刻机达到了DUV光刻机的水准，是一款干式DUV光刻机。

换言之，光刻机领域，我们已经具备研制DUV光刻机的水准，这为我国研制浸润式DUV光刻机打下了基础。

第二，浸润式光刻机和干式光刻机的区别就是浸润式光刻机光刻机的材料和镜头中间加了一层水，这层水让干式光刻机的光源波长压缩至134nm，而这种光刻机被叫做光刻机湿式，也就说浸润式DUV光刻机。

虽然这种技术内地厂商还未掌握，但这也只是时间问题。要知道哈工大团队研制出高精密激光干涉仪，这种干涉仪能为28nm的浸润式DUV光刻机做技术支撑，那么我们有理由相信我们的研发团队也能研制出浸润式技术，把干式DUV光刻机升级至浸润式DUV光刻机。

第三，根据ASML给出的数据，内地厂商从ASML购买的浸润式DUV光刻机超过150台。就浸润式DUV光刻机而言，我们有足够多的模板。依托这些浸润式DUV光刻机，我国厂商研制出浸润式技术，我认为不难。

写在最后

美方对我国的芯片限制不断升级，已经到了难以调和的地步。特别是光刻机设备领域，美方把我国获得先进光刻机的渠道几乎断掉。

不过按照我国掌握的干式DUV光刻机技术，按照我国现有的光刻机技术储备，我国掌握浸润式DUV光刻机技术是早晚的事。到了那一天，在光刻机领域美方就不能卡我们的脖子了。