在2024年底，哈工大航天学院赵永蓬教授团队的技术突破为国内的芯片产业带来了重要的突破性进展。这项技术的核心成果是“放电等离子体极紫外光刻光源”，它提供了中心波长为13.5纳米的极紫外光。
这项技术的成功填补了我们国家在这一领域的空白，我们在极紫外光刻机领域不再依赖国外技术，从此有了更多自主创新的空间。这项技术的突破有多重要，得从极紫外光刻机的核心组成说起。EUV光刻机是目前制造先进芯片的“神兵利器”，它的核心部件就是极紫外光源。这种光源以13.5纳米的波长来“雕刻”芯片上的电路，芯片的“精细度”和“速度”几乎全靠它。但直到现在，这项技术一直被国外垄断，特别是荷兰的ASML公司。ASML的技术被认为是全球最顶尖的，光源技术采用的是激光等离子体方案。也就是通过激光束击打一个金属板，产生极紫外光来进行光刻。而哈工大的这项新技术与之不同，它采用的是“放电等离子体”的方式来产生光源。为什么这项突破如此令人激动？首先，哈工大的光源技术有几个明显的优势：它的能量转换效率高、成本低、体积小。这些特点意味着它不光能为光刻机提供更强的技术支撑，还能大幅度降低制造成本，让国内企业不再因为昂贵的进口设备而承受巨大的压力。更重要的是，哈工大的技术突破打破了ASML的技术壁垒，让我们有了自主研发的基础，摆脱了“卡脖子”的局面。几年前，中国在芯片制造领域基本依赖进口，尤其是在5纳米以下的高端芯片领域，国内芯片制造厂商几乎无法参与竞争。如今，哈工大的光刻光源技术的突破，为我们国家的芯片产业提供了新希望。
EUV光刻机的量产会带来巨大的市场影响，预计5纳米芯片的生产成本可以下降约30%。这个降幅，对于全球的芯片产业来说，意义非凡。全球领先的台积电在5纳米及以下先进制程的芯片市场占有率超过80%。如果我们国家能够实现EUV光刻机的量产，台积电的市场份额预计将在未来3-5年内降至50%以下。说到芯片产业的核心玩家，华为是一个重要的名字。众所周知，华为近几年面临着巨大的技术封锁，尤其是在高端芯片制造方面。若要突破3纳米及更先进的芯片技术，华为必定需要EUV光刻机的支持。如今，哈工大的这项技术突破为华为等企业带来了新希望。虽然这项技术距离全面实现量产和商用还需要时间，但它为国内企业提供了崭新的技术方向和可能性。华为这些企业就像是赛道上的选手，之前由于技术限制只能走在后面，无法领先，但现在随着哈工大技术的突破，赛道变宽了，技术障碍少了，华为等企业就能迎头赶上，争取更大的市场份额。华为能否利用这项技术，在全球芯片市场上实现反超，值得我们期待。虽然我们在光刻光源技术上取得了突破，但EUV光刻机的生产远不止一个光源问题。
除了光源，光刻机还需要其他核心组件，如微缩投影光学系统、双工件台技术等。我们在这些领域也有一些进展，但要说完全赶超全球顶尖水平，仍然需要继续努力。
用户10xxx77
哈工大是一所名符其实的名牌大学，不像有些所谓的名牌大学靠吹牛来欺骗国人