2024年9月，对于中国科技领域来说，我们收获了一个喜讯，上海微电子成功获得了一项关于“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的专利，这个专利的编号是CN202310226636.7。这项技术突破标志着我们在EUV光刻机的研发上迈出了至关重要的一步。
得先让大家搞清楚什么是EUV光刻机，光刻机是芯片制造的“核心武器”，没有它，所有高端芯片的生产就无法生产。而EUV光刻机呢，是现阶段最先进的光刻设备，专门用来制造高端芯片的。芯片就像是现代科技的“大脑”，没有它，各种智能手机、电脑、汽车、甚至是家里的空调电视，都会罢工。那么，EUV光刻机在这儿的重要性就显而易见了。如果我们不能自主掌握这种技术，未来就很难生产出世界一流的芯片，国家的科技水平也会大打折扣。所以，突破EUV光刻机技术，直接关乎到我们国家在全球科技舞台的地位，甚至影响到我们的经济和安全。光刻机这么重要，为什么中国之前没有自己的EUV光刻机呢？其实，早在2019年，西方国家就对我们实施了所谓的“芯片围剿”。这可不是小打小闹的事儿，其中最大的关键，就是没有EUV光刻机。没了它，高端芯片根本没法生产。所以，我们的科研人员就像是被人“卡住脖子”，一时之间没有办法解决这道技术难题。但我们的科研人员没有放弃。正如那个老话说的，“压不垮的东西，才是最坚强的东西”。经过几年的拼搏，我们终于走出了自己的节奏，逐渐取得了突破，特别是在EUV光刻机的核心技术上，迈出了实质性的一步。
突破的路不是单一的，我们走的是三条技术路线。第一条：LPP路线，这条路线是我们国家上海微电子在跟全球最强的竞争者，ASML可是全球EUV光刻机的领头羊，技术堪称顶尖。上海微电子在这条路上，采用了1x千瓦/60khz的超高重复频率二氧化碳激光打靶来进行研发，目标就是不断逼近ASML。另一条路线则是哈尔滨工业大学主攻的DPP技术。这条路的好处是什么？这条技术路线结构更简单，成本也更低。更重要的是，它避免了传统技术中一些高能中子带来的麻烦。最后，还有一条路线就是FEL技术，它是由上海光源的小型加速器实验提供的基础。这项技术的优势就在于它具备高亮度、短脉冲和波长连续可调等特点。一旦这项技术产业化，EUV光刻机的性能和精度将大幅提升。目前的技术突破，可不仅仅是我们自主研发了一台设备这么简单，它代表着我们在精密加工、超净材料等高端制造领域的整体水平也在提升。预计在2025到2028年这段时间，光源功率突破和产业链协同将会成为关键窗口期。届时，咱们有望成为全球首个掌握LPP、DPP、FEL三种EUV技术的国家。到时候，我们不光能自主生产先进的光刻机，还能带着这些技术走向全球，成为全球芯片制造的领跑者。
