近日，兆驰半导体、长春希达、第三代半导体研究院、海目星、罗化芯、隆利科技、旭显未来等企业纷纷公布最新Micro LED或LED背光专利信息，涉及外延结构及其制备方法、发光芯片测试方法、修复方法与修复设备、芯片封装体及其制备方法、显示面板及其形成方法、巨量转移等方面。

兆驰半导体：一种高空穴注入效率Micro-LED外延结构及其制备方法

江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种高空穴注入效率Micro-LED外延结构及其制备方法”的发明专利，申请公布号为CN118899378A，申请公布日为2024月11月5日，发明人为舒俊、程龙、高虹、郑文杰、张彩霞、刘春杨、胡加辉、金从龙。

专利摘要：本发明公开了一种高空穴注入效率Micro‑LED外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明的Micro‑LED外延结构包括多量子阱发光层、多阶P型空穴注入增强层和P型半导体层；多阶P型空穴注入增强层包括第一阶空穴注入增强层、第二阶空穴注入增强层和第三阶空穴注入增强层；第一阶空穴注入增强层包括第一AlGaN层和第一InGaN层；第二阶空穴注入增强层包括第二AlGaN层和第二InGaN层，第二InGaN层中掺杂有Mg；第三阶空穴注入增强层包括第三AlGaN层、第三InGaN层和第四InGaN层，第三InGaN层和第四InGaN层中分别掺杂有Mg。本发明高空穴注入效率的Micro‑LED外延结构，可显著提高P型半导体层的空穴注入效率并改善多量子阱发光层区域电子空穴浓度的匹配度，从而提高Micro‑LED芯片在低工作电流密度下的光效。

据悉，江西兆驰半导体有限公司为深圳市兆驰股份有限公司在江西省南昌市高新技术产业区设立的全资子公司，注册资金为16 亿元，总投资 100 亿元，是一家专业从事 LED 外延片和芯片集研发生产为一体的国家级高新 技术企业，园区占地约 500 亩，一期厂房、研发及配套建筑面积约 35 万多平方米。 母公司深圳市兆驰股份涉及传统 液晶电视、智能家居、LED全产业链、互联网影视传媒等。公司 LED产业链覆盖LED 芯片、封装、COB 直显应用与Mini LED背光电视等。

兆驰半导体：用于Micro-LED的外延结构及其制备方法

江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“用于Micro-LED的外延结构及其制备方法”的发明专利，申请公布号为CN118888657A，申请公布日为2024月11月1日，发明人为胡加辉、郑文杰、程龙、高虹、刘春杨、金从龙。

专利摘要：本发明公开了一种用于Micro‑LED的外延结构及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。其中，外延结构依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴输运层和P型GaN层；多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；所述量子阱层为InxGa1‑xN层，所述量子垒层包括依次层叠的InyGa1‑yN层、AlzGa1‑zN层和BwGa1‑wN层；x＞y；所述量子垒层的厚度＜10nm；所述空穴输运层包括依次层叠的AlαGa1‑αN层、BβGa1‑βN层和AlN层；w＞α＞β。实施本发明，可提升Micro‑LED在低电流密度下的光效，提升其显示效果。

长春希达：一种Micro-LED发光芯片测试方法

长春希达电子技术有限公司申请一项名为“一种Micro-LED发光芯片测试方法”的发明专利，申请公布号为CN118884188A，申请公布日为2024月11月1日，发明人为郑喜凤、陈煜丰、毛新越、曹慧、汪洋、苗静、张曦。

专利摘要：一种Micro‑LED发光芯片测试方法，涉及Micro‑LED显示技术领域，解决现有采用TFT的AM驱动技术驱动Micro‑LED显示器时，由于TFT和LED的性能差异会造成红绿蓝LED亮度匹配不均造成灰度过度不均匀以及亮度不均匀性的问题。方法通过基于PCB基板设计Micro‑LED测试阵列模组，阵列内部采用并联方式将LED阵列连接，外部采用电压源直接驱动方式保证加载到每颗LED上的电压是一致的。通过测试红绿蓝三基色Micro‑LED阵列模组从0灰阶到255灰阶的数据电压计算得红绿蓝模组最小灰阶电压的公约数以及Micro‑LED白场最小的灰阶等级。本发明适用于Micro‑LED显示领域。

据了解，长春希达电子技术有限公司成立于2001年, 依托于中科院长春光机所建立，集研发、生产、销售、服务及研究生培养为一体的企业， 是专业从事创新性技术研究的LED显示与LED照明产品制造商。

第三代半导体研究院：Micro-LED器件及其制备方法

江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“Micro-LED器件及其制备方法”的发明专利，申请公布号为CN118867068A，申请公布日为2024月10月29日，发明人为王阳。

专利摘要：本发明公开一种Micro‑LED器件及其制备方法，该方法包括在衬底上依次形成层叠的N型层、第一发光结构和第一介质层；去除上述膜层的一部分，形成间隔分布的第一凸起、第一凹槽、第二凸起、第二凹槽和第三凸起；在第一凹槽和第二凹槽形成第二介质层；去除至少部分第一介质层和部分第二介质层、露出第一发光结构并形成第一孔，并形成第一P电极；去除第一凹槽上的第二介质层，在第一凹槽槽底依次形成第二发光结构和第二P电极；去除第二凹槽上的第二介质层，并形成第三发光结构和第三P电极；去除第三凸起、第三凸起表面的第一介质层和第二介质层，露出N型层并N电极。采用该方案，保证色彩的纯净度和亮度均匀性，改善发光效率低下和颜色一致性差的问题。

江苏第三代半导体研究院有限公司（以下简称研究院）于2019年7月注册于苏州工业园区，是以市场化机制运行的新型研发机构。研究院以培育发展第三代半导体技术应用产业为目标，聚焦第三代半导体在新型显示、5G 通信、电力电子、环境与健康等领域的应用，开展第三代半导体高质量材料制备技术、器件外延技术、芯片工艺技术、应用模块设计与集成技术、相关装备技术等关键共性技术研发和成果转移转化，建立覆盖第三代半导体全产业链条、全体系的创新平台，实现技术、人才、成果等资源的可持续供给和配套能力，加快第三代半导体产业的集聚发展，推动基础研究、应用研究和产业的有机融合。

海目星：Micro-LED修复方法与修复设备

海目星激光科技集团股份有限公司申请一项名为“Micro-LED修复方法与修复设备”的发明专利，申请公布号为N118848253A，申请公布日为2024月10月29日，发明人为徐念、李兵、谭宝。

专利摘要：本发明公开了一种Micro‑LED修复方法与修复设备，修复设备包括支撑架、激光加工组装置、物镜组件、Z轴模组和T轴模组，所述物镜组件沿T轴方向滑动连接于所述支撑架上，所述T轴模组用于驱动所述物镜组件移动，以使物镜组件中不同倍率的物镜移动至激光加工组装置射出激光的同轴位置，所述激光加工组装置沿Z轴方向滑动连接于所述支撑架上，所述Z轴模组用于驱动所述支撑架移动，以调节所述物镜组件在Z轴方向的位置；修复方法采用上述修复设备实现Micro‑LED的修复。本发明通过不同倍率物镜的选择以及物镜高度的调节来自动追焦，从而提高加工的精度，同时提高加工效率。

海目星激光科技集团股份有限公司总部位于深圳，现有海目星（江门）激光智能装备有限公司、海目星激光智能装备（江苏）有限公司、海目星激光智能装备（成都）有限公司等多家全资子公司。海目星激光一直以来深耕激光和自动化领域，主要从事锂电、光伏、消费电子、钣金加工、先进显示等行业激光及自动化设备的研发、设计、生产及销售，在激光、自动化和智能化综合运用领域已形成较强的优势。

罗化芯：一种多Micro-LED芯片封装体及其制备方法

罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司申请一项名为“一种多Micro-LED芯片封装体及其制备方法”的发明专利，申请公布号为CN118867073A，申请公布日为2024月10月29日，发明人为李雍、刘斌、瞿澄、陈文娟。

专利摘要：本发明涉及一种多Micro‑LED芯片封装体及其制备方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的多Micro‑LED芯片封装体的制备方法中，通过优化第一氧化锆钝化层、第二氧化锆钝化层以及第三氧化锆钝化层的制备工艺，使得各氧化锆钝化层的表面为粗糙结构，进而在后续形成各金属层时，可以有效提高二者的结合性能，进而可以有效避免各金属层剥离，且通过形成第一金属层、第二金属层以及第三金属层，为各Micro‑LED芯片与第二电极之间提供多条导电通路，在后续的使用过程中，即使某一个导电通路发生断路，这也不妨碍各Micro‑LED芯片的正常使用。

罗化芯：一种Micro-LED显示面板及其形成方法

罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司申请一项名为“一种Micro-LED显示面板及其形成方法”的发明专利，申请公布号为CN118867074A，申请公布日为2024月10月29日，发明人为李雍、刘斌、瞿澄、陈文娟。

专利摘要：本发明涉及一种Micro‑LED显示面板及其形成方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的Micro‑LED显示面板的形成方法中，通过在第二半导体层上形成第一透明导电层，并对所述第一透明导电层进行图案化处理，以形成多个平行排列的条形透明导电凸块，接着形成第二透明导电层，且设置第一透明导电层为镁和氟共掺杂的氧化锡，第二透明导电层为氧化铟锡，通过上述设置，可以大大提高电流的扩散性能，进而可以提高Micro‑LED单元的发光性能。

求是高等研究院：Micro-LED显示芯片制备方法及Micro-LED显示芯片

江西求是高等研究院申请一项名为“Micro-LED显示芯片制备方法及Micro-LED显示芯片”的发明专利，申请公布号为CN118825173A，申请公布日为2024月10月21日，发明人为封波、喻文辉、彭康伟。

专利摘要：本发明提供了一种Micro‑LED显示芯片制备方法及Micro‑LED显示芯片，制备方法包括：在生长衬底上沉积GaN外延层和第一键合金属层；在驱动电路基板表面沉积第二键合金属层后与第一键合金属层键合；去除生长衬底及部分GaN外延层后进行光刻和刻蚀，以形成若干相互独立的Micro‑LED单元；沉积钝化层和N电极层，得到若干独立的发光台面；在相邻的两发光台面之间沉积环形的金属电极，在金属电极与发光台面之间填充含有量子点和纳米荧光粉的粘性光学涂层；制备微透镜阵列后贴合在粘性光学涂层上，以得到目标Micro‑LED显示芯片。本申请的Micro‑LED显示芯片为全彩显示芯片，发光亮度强、效率高。

旭显未来：取得Micro LED巨量转移专利

国家知识产权局信息显示，旭显未来(北京)科技有限公司取得一项名为“一种MicroLED芯片巨量转移装置”的专利，授权公告号CN221885132U，申请日期为2024年2月。专利可通过在焊盘位置设置凹陷区，并利用磁性吸附的原理实现Micro LED芯片的快速定位安装，可靠性高。

专利摘要显示，本实用新型涉及显示技术领域，具体涉及一种Micro LED芯片巨量转移装置。一种Micro LED芯片巨量转移装置包括Micro LED芯片、转移基板和摇动单元;转移基板上设置有焊盘位置，焊盘位置处设置有凹陷区;焊盘位置的其中一个电极具有磁性;Micro LED芯片两个电极具有磁性，其中，Micro LED芯片与转移基板相同定义的电极上具有的磁性与焊盘位置上的磁性相反;摇动单元与转移基板传动连接并用于摇动转移基板，使Micro LED芯片落于凹陷区。

旭显未来是一家专业从事Mini/Micro LED显示屏生产技术研发、软件开发、技术服务、系统集成的高新技术企业。在全国范围内布局了五大生产基地，分别位于山东、湖南、江西、安徽、浙江。

溢彩芯光：一种叠层式全彩Micro-LED微显示装置及其制作方法

溢彩芯光科技（宁波）有限公司申请一项名为“一种叠层式全彩Micro-LED微显示装置及其制作方法”的专利，公开号CN118782599A，申请公布日为2024月10月15日，发明人为鲍旭源、冯浩贤。

专利摘要：本申请公开了一种叠层式全彩 Micro-LED 微显示装置及其制作方法，属于显示器件技术领域。包括 CMOS 集成电路板，所述 CMOS 集成电路板上阵列排布有垂直设置的若干全彩发光单元，所述全彩发光单元包括若干单色发光单元；所述单色发光单元包括蓝光发光单元、绿光发光单元、红光发光单元；所述红光单元由其结构中的绿光氮化镓发光层通电激发发出红光，所述绿光发光单元、红光发光单元由 CMOS 集成电路板驱动发光。本申请采用电致发光发出的绿光，较电致发光产生的蓝光二次激发绿光量子点发光所消耗的能量低，可有效降低器件的功耗，并规避了量子点自身的性能缺陷问题，避免反光挡墙刻蚀过程中刻蚀气体对绿光量子点转光层材料的破坏。

据了解，溢彩芯光专注于Micro LED微显示芯片的研发、生产与销售，核心产品为Micro LED微显示器，具有低功耗、高亮度、高刷新率、高PPI等优势，可广泛应用于AR显示行业，并扩展应用到AR-HUD、矩阵车灯、微投影仪等领域。公司已具备“硅基GaN外延片—钙钛矿量子点材料—Micro LED芯片结构设计—半导体加工”全链条能力。

隆利科技：直下式背光装置及显示设备

深圳市隆利科技股份有限公司发公告称，近日收到由国家知识产权局颁发的一 项发明专利证书，

发明专利《直下式背光装置及显示设备》提供一种改善面光源均匀出光的直下式背光装置 ，利用直下式背光的整体结构和反射杯上设置的透光结构，将从 LED 光源射出的光通过所述透光结构在所述反射杯之间传播，在不增加成本与出光均匀度的条件下，可有效地缩减LED光源与光学膜片之间的间距使得背光装置达到薄型化，克服亮暗不均 ( 的问题 实现均匀的面光源出光，并且提高了光的利用效率。

据了解，深圳市隆利科技股份有限公司深耕背光显示模组行业，以LED背光显示模组为依托，拓展Mini-LED、Micro-LED等新技术；在现有业务的基础上，同时向车载、智能穿戴、电竞显示器等领域拓展等。自2016年以来，公司已投入大量资金及人力开展 Mini-LED 技术的研发，分别在 IC 驱动、电路设计、结构、光学以及柔性板封装方面进行了研究和整合。公司的 Mini-LED 技术率先实现了多个应用领域的技术突破，已经成功应用于车载显示、显示器以及 VR 等领域。同时，公司布局了行业前沿技术Micro-LED技术，也储备了相关的专利技术，未来公司将继续保持创新理念，进一步增强公司的竞争实力。