绝大多数半导体细分市场，都是由海外巨头主导，然而氮化镓功率半导体却例外。 根据弗若斯特沙利文的数据，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（下文简称“英诺赛科”）2023年的收入为5.93亿元，市场份额达33.7%，在全球氮化镓功率半导体企业中排名第一。按折算氮化镓分立器件出货量计，2023年英诺赛科的市场份额为42.4%，同样在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一。 英诺赛科作为IDM厂商，设计、开发及制造氮化镓晶圆、氮化镓分立器件及集成电路、氮化镓模组等产品，适用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V。 那么，身负全球第一，英诺赛科做对了，或者说核心优势是什么？
踏准了氮化镓产业的快车道2018年，随着安克创新（Anker Innovation）推出其USB PD氮化镓充电器，氮化镓正式进入消费电子领域，也被视为开始了一定规模的商业化。随后氮化镓技术和工艺不断得到优化，其应用场景逐渐扩展至手机、笔记本电脑、电视等更多消费电子产品。根据弗若斯特沙利文的数据，2023年全球氮化镓功率半导体的市场规模为17.6亿元，2023年更被视为氮化镓行业录得指数级增长的开局之年，氮化镓在电动汽车、数据中心、储能等多个应用领域实现快速发展。
氮化镓在各个领域的快速普及，与其高禁带宽度、饱和电子漂移速率高、击穿场强高等特点密不可分。 而英诺赛科的快速发展与踏准了氮化镓的产业节奏不无关系。骆微微博士是英诺赛科的创始人，从新西兰梅西大学应用数学专业毕业后，在美国宇航局工作了15年，先后担任高级项目经理、首席科学家等职务。2015年，骆微微选择回国创业。2015年12月，英诺赛科（珠海）科技有限公司（英诺赛科的子公司，以下简称“英诺珠海”）成立。作为小规模生产基地运营，具备英诺赛科产品核心技术要素的基础研发功能。而随后，2016年被称之为“第三代半导体发展元年”，国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点，国内企业扩大第三半导体研发项目投资，行业进入快速发展期。尽管英诺珠海在研发及小规模生产方面取得了一定进展和成果，但产能已经不再能满足生产需求。2017年7月，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司成立，邻近大量第三代半导体公司及供应商所在地，促进了公司产品及研发成果转向大规模产业化及商业化。同年12月，英诺珠海的制造工厂建成投产。建成中国首条完整的8英寸硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括8英寸硅基氮化镓晶圆及100V-650V氮化镓功率器件。而彼时，氮化镓产业已经到了爆发前夜，英诺赛科率先在8英寸硅基氮化镓晶圆产业化上取得重大突破，先机已备，为今后的成功奠定了良好基础。2018年，安克创新（Anker Innovation）推出其USB PD氮化镓充电器，氮化镓正式进入消费电子领域，也被视为开始了一定规模的商业化。2020年8月，以折算氮化镓分立器件计，英诺赛科累计出货达一百万颗。一年后，英诺赛科累计出货达一千万颗。2021年10月，苏州的制造厂建成投产，根据弗若斯特沙利文的数据，该制造工厂是全球最大8英寸硅基氮化镓晶圆制造厂。2022年10月，以折算氮化镓分立器件计，英诺赛科累计出货达一亿颗。 2023年12月，以折算氮化镓分立器件计，英诺赛科累计出货量超过五亿颗。截至2024年6月30日，英诺赛科的累计出货量超过8.50亿颗。
持续扩张的产能2021年至今，英诺赛科的产量突飞猛进。2021年苏州和珠海两个工厂的晶圆产量合计为34865片，2023年的晶圆产量已然增至66559片，两年合计增长91%。而2024年上半年晶圆产量达到53147片，相比去年同期的29588片，同比增长79.6%，呈现持续加速的态势。
稳定且持续扩张的产能支撑了英诺赛科的快速增长，是公司成功的关键。英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体产能，确保客户的供应链稳定。其苏州生产基地的产能从2021年的18000片增加至2022年的36000片，并进一步增长至2023年的48000片。尽管期间苏州生产基地的产能利用率有所波动，但是结合苏州基地的产量持续增长可知，利用率的波动主要受产能基数持续扩大而出现短暂的回落。
珠海生产基地的产能从2021年的30200片增加至2022年的37700片，并进一步增加至2023年的44700片，主要是由于英诺赛科的生产流程逐步优化。珠海生产基地的利用率稳中有升，2023年的产能利用率轻微下降至56.5%，主要是由于苏州生产基地的产能增强，逐步承接英诺珠海的大部分低压硅基氮化镓晶圆的生产。而2024年6月30日止六个月，随着氮化镓晶圆产品需求增加，珠海基地的产能利用率大幅升至74.8%。 截至2024年6月30日，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产能为每月12500片晶圆，已为抓住蓬勃发展的功率半导体市场的机遇做好充分准备。
高良品率、低成本成熟的8英寸量产技术。根据弗若斯特沙利文数据，2023年全球氮化镓功率半导体市场中，6英寸及8英寸氮化镓的市占率分别为66.3%及33.7%。英诺赛科是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业，苏州的制造工厂是全球最大8英寸硅基氮化镓晶圆制造厂。全球其他主要的氮化镓功率半导体公司如EPC、英飞凌、Navitas、Power Integrations等公司提供6英寸产品为主。95%的良品率。英诺赛科的制造工艺的持续改进，通过完善硅基氮化镓外延生长工艺，能够持续生产出高均匀、无裂纹、低晶格错配密度及低缺陷的晶圆。英诺赛科的生产工艺技术已经实现了超过95%的晶圆良率，这极大的强化了自身的竞争优势。更低的成本。英诺赛科凭借着在8英寸硅基氮化镓先进的工艺技术，其8英寸硅基氮化镓晶圆具有更多的有效面积、更高的生产效率及低成本等优势，与传统的6英寸晶圆相比，每晶圆的晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30%。上市融资，加速全球化考虑到氮化镓生产工艺成熟和规模化生产推广已达爆发临界点，作为行业引领者，英诺赛科的全球化箭在弦上。 英诺赛科本次计划全球发售4536.40万股H股，扣除全球发售应付的包销费、费用及开支后，募资净额约13.64亿港元（按发售价范围中位数32.26港元计）： 约60%将用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能，从截至2024年6月30日的每月12500片晶圆增加至未来五年的每月70000片晶圆； 约20%将用于研发及扩大产品组合，用来提高终端市场中氮化镓产品的渗透率；约10%将用于扩大氮化镓产品的全球分销网络，其中7.0%用于扩大在中国及海外（包括韩国及美国）的销售及营销团队，计划在日本设立区域办事处，全球分销网络的扩大有助于英诺赛科与全球知名客户探索进一步合作；约10%将用于营运资金及其他一般企业用途。 根据公告，英诺赛科将于2024年12月30日在港股上市交易。 值得一提的是，据英诺赛科的招股书披露，公司本次上市的基石投资者包括STMicroelectronics Limited（“STHK”），为意法半导体的全资附属公司，认购金额为5000万美元。凭借意法半导体在半导体行业的经验和全球市场地位，有助于英诺赛科未来全球化进程。结尾英诺赛科在氮化镓领域的成功，源于对产业节奏的精准把握、产能的持续扩张、高良品率与低成本的优势，未来将借助上市融资加速全球化布局。随着其产能进一步扩大、产品组合丰富、分销网络拓展，英诺赛科有望在全球氮化镓市场持续领航，推动氮化镓技术更广泛应用。
