在当今科技领域，芯片制造一直是一个备受关注的话题。随着智能设备的普及和人工智能的发展，对芯片性能的需求也日益增长。而在这个领域中，EUV（极紫外光刻）技术一直被认为是关键的突破口，但同时也面临着高昂的成本和技术门槛。然而，近期中国科学家却在不使用EUV光刻机的情况下，成功实现了芯片制造的重大突破，将芯片速度提升了整整1000倍。

美国在传统的硅基芯片领域有非常大的话语权，掌握最核心的技术。所以美国仗着技术优势随意卡竞争对手的脖子，限制这个限制那个。但想要卡脖子也得有脖子卡才行，中国无需EUV光刻机，选择换道出发，在全新的光子芯片领域芯片速度提升1000倍。

美国是半导体产业的起源地之一，拥有丰富的技术积累和创新能力。早在20世纪50年代，美国就开始在半导体领域进行研究和开发，并取得了重大突破，奠定了其在该领域的领先地位。而且美国拥有许多世界级的半导体公司，如英特尔、高通、美光等。

这些公司在技术研发、生产制造和市场推广方面具有强大的实力和资源，能够不断推动半导体行业的发展和创新。这也是为什么美国芯片限制能一呼百应的原因，行业生态都集中在美国这一块。

但如果不走硅基芯片路线，就会发现美国也没有太大的影响力，很多东西都是空白的，这时候中国科研人员展开探索，便已经走在前沿了。在中国的2035年远景目标纲要中提到，中国要将光子芯片作为绕开西方技术控制的途径之一。

而中国智库中国国际经济交流中心经济学家陈文玲也明确指出“光子芯片运算速度更快，信息容量更大，是目前硅基芯片的1000倍以上。”

众所周知，中国最快的芯片工艺，也就是7纳米，而国际上最好的芯片，也就是3纳米而已。不过，即便如此，台积电和三星等顶级的半导体厂商，也面临着巨大的压力，因为3 nm以后，将会面临2 nm/1 nm的瓶颈，也就是2 nm/1 nm，这代表着更高的工艺和更高的生产费用，而这一条路，明显是要走到末路了，必须要进行一次变革，去开辟一条新的道路！

至于中国芯，则是因为技术水平的滞后，以及诸多的技术障碍，让他们很难在现有的硅芯片市场上实现超越。因此，在某些方面，中国的芯片公司与国际上的半导体巨头站在了一个起点上，哪一家公司率先发现了新赛道，并且在新赛道上取得了领先，那么就有可能成为新时代新赛道的领军人物，也就是中国芯的机遇！

幸运的是，这个领域正在变得越来越明确——半导体。相对于传统的硅芯片，光晶片的优点非常明显，据中国智囊团的研究人员介绍，光晶片拥有更高的存储能力，以及更高的计算能力，比起普通的硅晶片，提高了一千多倍。可以预见的是，未来的某一天，光电子芯片将会完全替代硅。

从数据来看，目前中国已有44家晶圆厂了，其中25家是300毫米晶圆厂，5家是200毫米晶圆厂，4家是150毫米晶圆厂。同时还有22家晶圆厂在建设，这22家晶圆厂中，包括15个300毫米晶圆厂和7个200毫米晶圆厂。

这么多的产能，全部涌入成熟制程之后，可能会引发全球芯片产能过剩和价格竞争加剧的风险，这将导致包括美国在内的很多国家无力与中国打芯片价格战。这或许是包括美国在内的欧洲国家担心的缘由。

在国内，一直以来的一个人云亦云的观点是，只要中国企业进入的行业，都会被中国企业搞成白菜价，比如液晶屏，手机、电视、汽车等等。

事实上，中国这几年在大规模提升芯片产能，兴建大量的芯片生产线，未来或将芯片变成白菜价。

此外，包括Joseph Zhou和Simon Coles在内的巴克莱分析师在周四的报告中写道，中国本土半导体制造商和晶圆厂的数量，远远多于主流行业人士当前的预估。根据中国本土制造商的现有计划，中国的芯片生产能力将在五到七年内增加一倍以上。

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