据媒体发布的消息显示，华为技术有限公司近日新增了多条专利信息，在其中有一条名为“半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备”的专利，引起广泛关注。从专利摘要中可以看出，该专利旨在提高三维存储器的存储密度。
可能很多人对三维存储器不甚了解，在这里解答一下。三维存储器即是3D存储器，是一种由英特尔和美光科技于2015年7月宣布的非易失性内存（NVM）技术，属于混合存储立方体。英特尔在初期将其存储设备冠名为Optant，美光对此称为QuantX。通常被认为是一种基于变化内存技术，但也有其他可能性被提出。
华为在这次的半导体芯片专利上指出，随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。这就造成2D存储器的密度接近上限，继而选择3D存储器，通过膜层的堆叠、微缩器件关键尺寸来提高存储密度，目前已经成为了亟需解决和攻克的问题。
从已知消息来看，华为或将半自产新型存储器，但官方对此并无回应。
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在关于成品茅台酒瓶还能多装点的技术面前，一文不值