据日本“冲绳科学技术大学院大学”（OIST）官网的研究报道显示，该校Yuzumi Shintake 教授设计了一种新的EUV光刻技术，而OIST也已经为该技术提交了专利申请。

冲绳科学技术大学院大学官网

据该文章称，该新极紫外光刻技术，颠覆了传统的先进半导体制造观点，该设计将可以使光刻设备使用更为小型的极紫外光源，同时将功耗降低90%以上，从而实现光刻机的可靠性及降低成本。

文章称，该技术主要从理论上证明并克服了EUV光刻领域的两个“不可行”的挑战，一个是改变了EUV的核心投影仪，另一个是重新设计了一种新的照明光学系统。

首先是核心投影仪。传统的EUV光刻机，由于波长极短，导致材料会吸收掉大部分，所以需要使用一种他别的“新月状”的反射镜而不是透镜，不过这种方法是以牺牲光学特性来完成的，光线会远离中心轴。

而日本的新光刻技术，则是通过将反射镜放置成一条直线的方式，来保证原始的出色光学特性。

其次，是新的照明光学系统。据悉，这个新的照明光学系统，使用了一种被称做“双重曝光场”的新技术，该技术能从平面镜的光掩模前去照射EUV光，且不会对光路造成阻碍。

具体来说，就是如上图中右边的情况，可以保证左右两个对此的光源照射后，不会造成两边光源对对象来光造成阻碍。

最后，虽然冲绳科学技术大学院大学已经为该技术申请专利，但该校的副总裁Gil Granotmeier也直言，要想将技术实现落地，还有很长的路要走。

不过他也表示，希望该技术可以彻底改变目前半导体行业的技术路线，为减排节能做出一份贡献。