光刻机好消息来了！国产光源193nm的氟化氩光刻机，它真的来了，我们也终于可以谈谈光刻机公开性的信息了。

根据工信部公共发布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》显示，在其电子专用装备目录下，集成电路设备方面有了一款“氟化氩光刻机”，光源193nmn，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。这些参数表明，这是一台处于相对较高的技术水平的光刻机。

比如，193nm的氟化氩（ArF）准分子激光光源，是目前被广泛使用的光刻光源之一，它可以使得光刻机能够实现较高的分辨率。所以，这台光刻机在光源上处于主流且较为先进的水平。

再来看看，它的分辨率≤65nm、套刻≤8nm，说明，它能够在芯片制造过程中实现较高的精度。能够满足一定程度上的高端芯片制造需求，比如高端智能手机芯片、高性能计算芯片等。而这些芯片，也正是我们国内企业需要的，等于在一定程度上解决了这类芯片的需求问题。

同时，大家注意到没有，与光刻设备配套核心装备，基本上工艺节点都是等于或优于28nm，甚至有的是等于或优于14nm。这意味着，我们在28nm工艺上，已经有能力实现国产替代了，这就是了不起的事情。

看到这里，老陈的心情是十分激动的，这些年，从华为被打压开始，别人就一直想在半导体设备上卡脖子。然而，我们的科研人员还是非常非常给力的，别人不卖，我们就自己做，终于见到曙光了。

虽然，目前这款光刻设备，与国际最先进水平仍有一定差距，但它的战略意义却十分重要，可以提升我国半导体产业的自主创新能力和核心竞争力，也为我们在光刻机技术领域的进一步发展奠定了基础。所以，这一大技术进步，真的值得为我们的科研人员点个赞！