媒体《南华早报》写过一篇文章，标题是“中国能否绕过美国对高科技计算机芯片的限制方法？”在文章中，列举了来自于中国专家学者的一些言论看法。

中国人民大学国际关系学院的石英红教授对此进行了评价，他认为在半导体研发方面，西方国家拥有一个关键优势是国家、公司、学术机构之间的交流合作。这是中国现在或可预见的未来无法获得的东西，因此完全不可能拥有优势地位。

中国现代国际关系研究院，世界经济研究所原所长程凤英认为，对于那些非常高端的半导体来说，我们可能永远无法突破。

对于以上两位专家学者的言论看法，清华大学的蔡正元博士对此进行了评价，我这样说也许会得罪人，文章中列举的几位了不起的学者，都是念文科的，没有一个念理科的，也没有念工程出身的，也没有在这个行业里面做过的，所以他们讲的内容，其实一点也不重要。

蔡博士对于以上两位学者的言论并没有直接否定，但是他所说的意思也很明白，就是这些研究文学的专家学者对于工科领域的评价，并没有什么参考价值。

因为文科学者没有涉足过这个行业，所以他们只是用自己片面的看法来评价这个行业，隔行如隔山，所说的言论也跟实际情况相差甚远。

并且蔡博士也从公正的角度来看待这件事情，美国的制裁确实会影响到中国某一部分科技的发展，这确实是事实，但并不表示说中国没有办法在现有的基础上自己发展起来。

对于美国的制裁来说，国产半导体产业最受冲击的就是制造领域。本身我国半导体制造产业的发展一直就磕磕绊绊，台积电曾经用技术专利三次打压中芯国际，一度让中芯国际面临巨幅亏损以至于倒闭的状态。

最后还是江上舟跟张汝京出面与台积电的曾繁城进行交涉，江上舟以中国的消费市场作为砝码，逼着台积电退让了一步，保住了中芯国际不破产。

张汝京引咎辞职，江上舟也在几年之后因为癌症去世，两个高管都离开了企业，中芯国际陷入了好几年的内斗时期，中国的晶圆制造行业也因此停滞不前。

中芯国际曾经耗费上亿元，从ASML订购了EUV光刻机，这个订购的花销，基本上花光了中芯国际上一年的全部利润。但是由于美国的制裁和施压，这台光刻机迟迟无法正常交付。中芯国际已经掌握了7nm技术，但是由于没有EUV光刻机，无法将技术进行流片测试。

美国的制裁对于中国的芯片制造业影响很大，但是中国也并没有因此停止技术研发。

华为mate60系列上面搭载的麒麟9000S芯片，就是中芯国际用曾经在ASML采购的浸润式DUV光刻机通过多曝光的技术制造出来的产品，等效7nm工艺。

浸润式DUV光刻机的极限也就是7nm工艺了，需要通过多曝光的技术进行多次套刻才可以达到7nm工艺的水平。但是多曝光的前提就是要求套刻精度要足够高，一旦精度太低，多曝光技术会将误差叠加放大，制造出来的芯片在性能和能耗上面会非常差，无法搭载到手机上面进行使用。

想要保证产品的良品率和能耗比，实现大规模的量产商用，这就需要芯片制造厂和芯片设计厂想办法来降低套刻精度的误差，最大限度提升良品率。这对于中芯国际和华为来说，是一个相当有技术含量的挑战。

从产品的角度来说，麒麟9000S的能耗比并不好，而且发热有些明显，华为不得不采用增大手机尺寸、加入大面积均热板的方法来缓解芯片发热的情况。

能在美国的全面封锁下，将中芯国际等效7nm工艺的芯片实现大规模的量产，中芯国际和华为的技术水平相当不错，而且国产供应链体系也非常给力，各个环节的兼容度得到了大幅度的提升。

蔡正元博士也在评论中说到，中国大陆在3年内，不可能突破高端芯片的这些问题。但是5年内，一定会突破。

为什么短时间内无法突破？因为中国刚开始要突破高端芯片的制程技术，基本不知道自己缺什么，这是问题所在。

现在的中国已经搞明白了高端半导体制造所欠缺的东西，那么其中的技术和零部件是不是那么难攻克？并不是，没有那么难攻克，但是需要时间。

中国也不是完全没有基础，中国的光刻机已经做出了一些成绩，把那些有基础的人引导着过来做高端芯片，这时候就需要政府的支持了。以中国现有的科学人才来说，在这个基础上进行发展，是有机会突破的，没有他们想象中的那么悲观。

国产芯片制造业，欠缺的是设备材料，制程技术并没有落后国际水平太多。尤其是在梁孟松来到中芯国际之后，中芯国际掌握了Fin FET技术，并且给华为用Fin FET技术制造过14nm的麒麟710A。7nm、5nm等工艺技术，也早早的开始了技术研发。

但就是因为拿不到高端的光刻机设备，所以这些先进工艺无法进行制造测试，良品率、能耗比、兼容度这些问题也就无法进行解决。

只要能跑通制造产业链，将欠缺的设备材料问题解决，中国的高端芯片产业便可以融会贯通。