长鑫储存的内存芯片工艺得到了大幅提高，目前已经抵达16纳米工艺节点，这一三星、海力士等国际内存大厂之间的制程差距缩短为2年之内，长鑫存储内存芯片工艺发展确实取得了显著进步，但目前尚未抵达16纳米工艺节点量产阶段。
具体情况如下：
- 当前工艺水平：长鑫存储Fab 1主要生产DDR4，使用的是19nm工艺，每月产能约10万块晶圆。Fab 2专注于DDR5，用的是17nm工艺，当前月产能大概5万块晶圆。
- 与国际大厂差距：三星、SK海力士等的DDR5内存已经升级到12nm工艺，长鑫存储与它们在DDR5工艺上仍有一定差距。据TechInsights报道，长鑫存储的16纳米G4技术，与三星电子和SK海力士在2021年开始量产的10纳米第三代（1z）工艺水平相当，整体落后3年。
长鑫存储的第五代双倍数据速率内存（DDR5）采用16纳米半间距。这表明长鑫存储在16纳米技术上有一定突破，但不能直接等同于其已全面进入16纳米工艺量产阶段。
- 技术发展趋势：长鑫存储一直在积极推进技术进步，从之前的19nm、17.5nm、17nm工艺不断发展，按照其技术开发和量产的速度，存在年末在16纳米工艺上取得更大进展甚至实现量产的可能性。
- 面临的挑战：长鑫存储受到美国出口管制等外部因素影响，在先进工艺的设备获取和技术发展上存在一定阻碍，可能会对其年末达到16纳米工艺节点产生影响。
长鑫存储市场占有率和产品价格的相关情况：
市场占有率
- 现状：据2024年第四季度的相关信息，长鑫存储在全球DRAM市场份额约为10%。
- 未来预测到2025年底，长鑫存储有望占据全球DRAM市场约15%的份额。
产品价格
- DDR5内存：以金百达银爵系列和光威推出的产品为例，频率6000MHz、时序CL36-36-36-80、工作电压1.35V、16GBx2套装售价为499元。
- DDR4内存：长鑫存储CXDQ3BFAM-WG新版8Gb DDR4 SDRAM集成电路在阿里巴巴平台20PCS起批价格为34元。
