与我们相似，我们的邻居俄罗斯也受到了类似的限制，但情况比我们更加困难一方面，由于乌克兰危机，俄罗斯遭到了西方国家的全面制裁，其中包括对芯片的限制另一方面，俄罗斯的本土半导体产业相对滞后，我们中芯国际至少还能够量产14纳米及更先进的芯片，而上海微电子也能够制造90纳米的光刻机而俄罗斯的本土晶圆厂最高只能生产65纳米制程的芯片，而光刻机制造甚至没有任何厂商。
这是因为在过去，美国选择了晶体管技术，而苏联选择了电子管技术，这两者之间存在着不同的技术路线选择虽然当时电子管技术相对更先进，效率和稳定性更高，但随着时间的推移，晶体管的优势逐渐显现，因为它更容易实现微型化集成俄罗斯继承了苏联时代的电子管技术，因此在先进雷达、防空反导等军事领域具有强大实力，但在如今的手机、汽车等民用领域则相对落后然而，俄罗斯在研发领域的实力不容小觑，他们拥有全球领先的数学水平，以及大量的数学人才。
华为在俄罗斯建立了研发中心，其中一位俄罗斯工程师甚至帮助华为突破了3G技术的关键因此，如今俄罗斯已下定决心发展自己的芯片产业，其中一个重要目标就是突破光刻机技术近日，俄罗斯正式宣布，计划在2024年达到这一目标这将是一项挑战，但也是一次机会，为全球科技领域带来了更多的多样性和竞争力。
明年将开始生产350纳米光刻机，而到2026年，130纳米光刻机将投入生产尽管看似制程不高，但这些举措已经有效地解决了俄罗斯在关键领域面临的紧迫问题然而，更令人瞩目的是，俄罗斯还设定了更远大的目标，计划在2028年研发出能够制造7纳米芯片的光刻机，旨在超越ASML的同类产品，实现比EUV光刻机性能更出色的直写类光刻机目前，ASML和尼康是光刻机领域的两大先进制造商，但俄罗斯宣称将改变这一现状。
令人意外的是，日本佳能推出了一款纳米压印技术的光刻机，可以生产5纳米芯片，而即使在工业基础较差的俄罗斯，也采取了如此积极的举措，试图打破ASML对光刻机市场的垄断。一些外媒认为，形势已经开始逆转，ASML原本依靠其领先的EUV和浸润式DUV技术继续垄断市场，但没想到尼康突破了浸润式DUV，佳能则成功实现了绕过EUV技术的光刻机。如今，就连俄罗斯也正在制定超越ASML的光刻机计划。
