光刻机之所以重要，因为它是芯片制造的核心设备，它的先进程度决定着芯片制造的制程水平。因此，晶圆代工厂要发展更先进的制程，就需要购买更先进的光刻机。

于是，谁掌握了先进光刻机技术，谁就能迅速拿下更多市场份额。荷兰ASML因为率先并独家掌握EUV技术，成为绝对的光刻机霸主。不过，EUV技术也迎来挑战！

最早的光刻机霸主其实是美企三巨头GCA、优特、珀金埃尔默，后来被日本半导体产业兴起，尼康和佳能超过美企成为新光刻机霸主，当时号称日本“光刻机双雄”。

随着芯片制程不断缩小，从上世纪90年代开始，光刻机竞争就集中在了光源波长的竞争，之前的光刻机光源的波长已经从365nm降低到193nm，再往下就出现分歧。

当时光刻机巨头尼康依然坚持传统光刻技术，投入巨资继续研发干式157nm光源。

到2002年时，台积电专家林本坚提出湿式光刻技术，也就是“浸润式光刻”。传统光刻机技术中，镜头和光刻胶之间介质是空气，林本坚提出在光刻胶上方加一层水。

采用林本坚这种方法，能够在不改变光刻机波长的情况下，做出等效134nm的波长。

尼康尽管在干式光刻技术研发上还没有成果，但已经投入巨额研发费用，很难更改研究方向，于是就没有采纳林本坚技术，而这个决定让尼康错失了光刻机霸主地位。

当时并不起眼、还在苦苦挣扎的ASML决定放手一搏，和台积电共同研发浸润式光刻机，很快于2004年推出浸润式DUV，2007年就成为主流，ASML成为新的霸主。

不仅这次，在接下来的EUV技术研发中，英特尔牵头成立了EUV研发联盟，拒绝尼康加入，ASML积极争取，在答应某些条件后，独享EUV技术，如今独家垄断EUV。

如今，ASML依然独家生产EUV光刻机，还更进一步推出了更高端的High-NA EUV。

ASML凭借技术优势，占据了全球光刻机市场80%左右的市场份额，日本尼康和佳能各自仅剩下10%左右。不过，尼康和佳能也并没有放弃，一直在努力追赶ASML。

其中，尼康选择研发浸润式光刻机，也推出能实现5nm制程的DUV，但产量不太大。

而佳能则选择了另一条技术道路，就是NIL纳米压印光刻技术，据说现在已经可以实现5nm制程的芯片，2025年实现2nm级别，关键是该技术比EUV成本低10倍。

如今，佳能的NIL光刻机已不是技术层面，而是进入产线量产应用，日本铠侠已经将NIL技术运用在15nm NAND闪存上。随着NIL技术的完善，必然会威胁到EUV。

不仅如此，日本近日又传来新消息，高能加速器研发组织近日研究发现，可利用粒子加速器实现更短的EUV光源波长，并且成本可降低数倍，能替代现有EUV光源。

由此可见，日本并不甘心光刻机被ASML超越了，一直在积极研发，想要实现反超。

ASML虽然推出了更高端的High-NA EUV光刻机，但情况也不太乐观，之前仅英特尔一家购买，前段时间还传出台积电方面表示价格过于昂贵，暂时不考虑购买新款。

一台EUV已经1.5亿欧元，High-NA EUV已经高达3.5亿欧元，晶圆巨头也难承受。

不只台积电，日本Rapidus也表示暂时不会采购High-NA EUV。但ASML近日对外表示，台积电、三星等已经订购了High-NA EUV，并且他们还在研发更高端的EUV。

或许是看到EUV替代技术出现了，ASML紧急公布新方案，计划在2030年推出更高端的Hyper-NA EUV。之前，ASML技术官曾表示，High-NA EUV可能是最后的EUV。

因为Hyper-NA EUV的成本高到不可想象，High-NA EUV价格已经太高了，再高不知道还有没有晶圆厂能承受，但如果EUV竞争技术不断出现，ASML只能继续前行。

对我们来说，这些都是好的方向指引，我们也要加快相关技术研发，争取早日国产！