本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自technews

继AI推进HBM的崛起后，半导体的下一个风口浪尖又在何方？

虽说时光无法倒流，但若将时序回推至几十年前，即使是如英特尔、台积电等掌握最尖端技术的半导体巨擘，恐怕也难以料想，HBM 及一度式微的DRAM 产业，会成为时下最当红的议题。

如果今年4 月，韩国HBM 领头羊SK 海力士与台积电于最新一代高频宽存储器HBM4 的强强联手还不够震撼，9 月的SEMICON Taiwan 盛会上，传出三星将与晶圆代工宿敌台积电共同开发buffer-less HBM4 的消息，更印证了AI 驱动异质整合的威力，不仅打破存储器与逻辑芯片之间的疆界，更超越台韩半导体对立的新仇旧恨。

翻开全球半导体近代史，美、中国台湾、韩势力的角力，一直是扣人心弦的主轴。其中，台积电向来与三星有难解纠葛：台积电于2000 年退出标准型DRAM 市场的决定，泰半与三星当时在存储器领域的强大有关。此外，两者除了在晶圆代工先进制程激烈交锋，情感面上，研发大将梁孟松于2010 年代转投三星，担任半导体首席研发主管，又为两强间的矛盾记上一笔。

多年前退出存储器战场的台积电，如今却因缘际会，透过与客户共同进行技术研发，密切合作，将触角从AI 芯片组中的SoC、GPU 等芯片，伸向为基础裸晶代工，进而在HBM 市场走得更长远，甚至让宿敌三星不得不与之携手。

HBM（High Band-Width Memory）亦即高频宽存储器，是AI 时代进行高速运算、训练语言模型不可或缺的关键元素。这项新兴的高速存储器技术，透过3D 堆叠封装，将DRAM 晶粒垂直堆叠，再以硅通孔（TSV）的方式互连，借以提升存储器频宽，并同时降低功耗及体积，因此最适合AI 服务器等应用。AI 时代对高速运算的殷切需求，也让原本在存储器市场落后于三星的SK 海力士，搭着NVIDIA 带起的浪潮乘势而起。

只是，随着HBM 迭代演进，第六代的HBM4 将于2025 年至2026 年间迈入量产，几项重大变革促使存储器厂商另寻外援，找上专业晶圆代工厂合作。首先，三星及SK 海力士都直言，HBM4 将走向“客制化存储器”的时代，HBM 产品得依客户需求加上更多功能，而基础裸晶（Base Die）就是当中可以着墨的空间。

据SK 海力士资深副总裁暨封装开发副社长李康旭（Kangwook Lee）于SEMICON 期间的说明，标准HBM 和客制化HBM 采用的核心芯片（Core Die）基本相同，主要的差异为基础裸晶（Base Die）不同，客户盼能在客制化HBM 的Base Die 中加入特殊IP，以进一步提升芯片效率。

这点便衍生出HBM4 与前几代HBM 最大的不同：搭载于HBM 封装最底层的Base Die，从原来由存储器公司自行生产，改由交付晶圆代工厂，以先进的逻辑制程生产。

以SK 海力士及台积电的合作为例，在HBM3e 之前，HBM 的Base Die 都是由SK 海力士自行制造。但自HBM4 开始，制造将外包给台积电，据闻将以5 纳米、12 纳米等先进制程制造。

在HBM3、HBM3e 于NVIDIA 认证进度落后SK 海力士及美光的三星，其实有能力提供从存储器生产到代工和先进封装的HBM 一条龙服务，也一度传出将用自家晶圆厂的4 纳米制程，量产HBM4 的Base Die。不过显然为进一步整合NVIDIA、Google 等主要客户所要求的客制化功能，最终仍选择与先进制程强大的台积电携手，研发所谓的“buffer-less HBM4”。

面对担纲AI芯片中枢神经角色、能够进行高速资料传输的HBM，半导体三强也因为对DRAM 的立场、营运布局迥异，如今有了不同的机遇。有别于台积电的成功、三星的试图力挽狂澜，1970 年开发出全球第一颗1K bit DRAM 芯片的英特尔，1985 年在日商围剿下决定退出DRAM 市场，谨守推进集成电路领域、堆高先进制程投资的路线，却因难以扩大代工业务，即时跟上行动通信、AI 等应用崛起的脚步，无力再现往日荣光。

那么，继AI 推进HBM 的崛起后，半导体的下一个风口浪尖又在何方？这个问题或许短期难以回答，但能肯定的是，能够跨界掌握整合型技术的企业，方能成为王者。

据科创板日报报道，日前，法国巴黎银行旗下证券部门Exane BNP Paribas大幅下调美光评级，从跑赢大市（Outperform）直接下调至跑输大市（Underperform），目标价从140美元直接“腰斩”到67美元，理由便是担心HBM产能过剩和对传统DRAM定价的影响。

该行指出，由于HBM供应过剩，DRAM价格修正速度快于预期，这可能导致更广泛的DRAM市场的衰退。

其预计在2025年底前，HBM产能将大幅超出需求，这将进一步打压价格：2024年底前，HBM的已装机晶圆月产能已经达到31.5万片，到2025年将达到约40万片——而同时期的需求为16.8万片，甚至不到供应量的1/2。

Exane BNP Paribas进一步指出，到2025年，美光的表现将落后于其他AI半导体制造商同行们，主要原因就是HBM供应过剩，压低了美光内存芯片的平均售价；而如果美光的内存芯片的确因此降价，股价甚至可能跌破67美元的目标价。

之前SK海力士和美光都提到过，2024年HBM产能已经全部售罄，2025年产能也已经基本分配完成；SK海力士还表示订单能见度可达2026年一季度。

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