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摩尔定律正在面临极限，芯片制程想要继续发展下去变得越来越困难，台积电把3nm制程分为好几代工艺版本就是最好的证明。

由于传统的EUV光刻机面临一系列弊端，如功耗大，工艺提升难以及有价无市，所以很多国家开始探索EUV光刻机的替代方案，并证实了EUV光刻机并非唯一的选择。眼看地位要受到挑战，外媒：ASML彻底摊牌了。

各行各业对芯片制程的要求越来越高，传统的EUV光刻机路径在寻求突破更先进的纳米制程方面变得越发困难。

现有的EUV光刻机已经接近芯片物理极限，同时其存在的诸多缺点，如高功耗、昂贵价格、有限产能以及受到出口管制等问题，进一步加大了技术发展的挑战。于是各国开始积极探索新的路径，寻求EUV光刻机的替代方案。

日本佳能公司成功研发出一款支持5纳米制程的纳米压印设备，型号为FPA-1200NZ2C。据佳能透露，他们计划在2024年实现5纳米芯片的量产，并有望在2026年突破到2纳米工艺。

与EUV光刻机相比，这款纳米压印设备的价格更为亲民，功耗更低，效率更高。如果这种纳米压印设备能够大规模量产并应用于工业生产，那么ASML等EUV光刻机领域的巨头可能会面临巨大的竞争压力。

纳米压印技术作为EUV光刻机的替代方案，为芯片制程的进一步发展打开了新的可能性。除了佳能，其他公司和研究机构也在积极探索类似的技术路径，希望能够在面对EUV光刻机的局限性时找到突破口。

未来，随着纳米压印设备技术的不断进步和完善，或许能够为芯片行业带来全新的发展机遇和市场格局的变革。

佳能给ASML带来的竞争压力显而易见，就算纳米压印设备无法全面替代EUV光刻机的市场地位，但也能在不小的生产领域实现对EUV光刻机的补充。

ASML没有坐以待毙。根据ASML的官方宣布，其首台新款EUV光刻机Twinscan NXE:3800E已完成安装。

这款新机型将带来更高的生产效率，通过提升对准精度和产能，实现每小时195片晶圆的吞吐量，比上代3600D提升了近22%，并有望达到220片的目标。这一关键设备可用于3纳米至2纳米芯片制造，被认为是ASML角逐下一个半导体时代的重要筹码。

外媒直言，ASML彻底摊牌了，向全世界展现其在半导体制造领域依旧保持领先地位的竞争优势。ASML的新款EUV光刻机Twinscan NXE:3800E的推出，展示了公司在技术研发和创新方面的实力，同时也表明了其对未来半导体制造市场的雄心与信心。

在佳能的纳米压印设备与ASML的新款EUV光刻机之间的竞争中，无论是技术创新、市场表现还是产业地位，都将为半导体制造业带来更多的选择和机遇。谁能更胜一筹，就让我们拭目以待。

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