韩媒报道，随着特朗普政府第二任期正式开启，预计将对中国半导体行业实施严格制裁。
与此同时，在中国设有NAND闪存和DRAM生产基地的三星电子和SK海力士也在为此做准备。
两家公司正加速工艺转型，以减少对中国生产的依赖，并在提升效率的同时暂停产能扩张。
三星电子正缩减其在中国西安的NAND闪存工厂的生产规模，以应对特朗普政府带来的不确定性增加。
公司还加速了工艺转换，以防先进设备进口可能受限。
目前，三星正迅速将100层级的设备升级至200层级，以提高生产效率。然而，公司并未考虑增加产能的额外投资。
事实上，预计三星电子西安工厂的NAND生产规模将较去年大幅减少。
此前，三星电子已决定将中国西安工厂的NAND晶圆投入量较之前水平减少超过 10%。
相应地，西安工厂的晶圆月产量预计将从约20万片降至约17万片。
SK海力士也暂停了其在中国无锡的最大DRAM生产基地的产能扩张，同时决定扩大其在韩国利川的M14和M16工厂的产能。
内部预计，到今年年底，M16工厂的DRAM产量将与无锡工厂持平。
根据市场研究公司Omdia的数据，无锡工厂的DRAM生产份额预计将从去年的约40%下降到今年的35%。
