拿图纸也造不出来？中科院全固态DUV光源技术诞生，能生产3nm芯片

看见这句话，许多人可能都懵了！

中科院真是闷声干大事，此消息一出就像竹筒倒豆子一般，引起各路吃瓜网友的围观，但这瓜子一嗑不得了，直接嗑出了中国芯片发展的辛酸史！

其实我国一开始并不只有“买买买”，为推动中国半导体芯片制造业的发展进程，中企派科研人员到光刻机巨头ASML参观学习，在表达完自己的观点后，却得到了“拿给你们图纸也造不出来”的嘲讽。很显然他们只想出售，不想教授。

于是，早年中企大多采用了“进口”的方式来提振本土芯片制造业，然而2018年当中芯国际向ASML预订EUV光刻机之后，这台EUV光刻机因各种理由迟迟未能交付。而为避免中企抄袭，ASML之后还在中国注册了大量技术专利。之后又收紧限制，就连高端DUV光刻机都被列入了限制清单。

然而他们似乎忘了一件事，中国人有一个被动天赋，激活的方式就是“封锁、限制”。在芯片技术、光刻机断供后的第一时间，中科院就将光刻机列入重点研发清单，功夫不负有心人！

根据国际光电协会传出的消息，中科院研究人员成功研发出了突破性的DUV激光，成功研发出了全固态DUV光源技术，绕过了ASML的技术限制。

作为光刻机的领头羊，ASML的DUV光刻机采用的是Arf准分子激光技术，这种技术通过氩气和氟气混合产生不稳定分子，释放193nm波长的深紫外光。但这种技术存在三大问题。

高度依赖稀有气体，尤其是氟气，不仅有毒，而且受国际局势影响；其次处理如此之多的废气需要用到额外的设备，这就导致光刻机体积臃肿，维护成本还很高。另外，Arf准分子激光需要高压电厂激发气体，这一过程需要大量的电能消耗，不绿色环保。

最最重要的是，这项技术被ASML的专利层层保护，想要模仿、擦边，都会碰到专利墙，原理相同都是专利侵权。

而中科院的全固态DUV光源技术，采用自制的Yb:YAG晶体生成1030nm红外激光，之后分量路转换波长，其一通过四次谐波转换至258nm，其二通过光学参数将波长放大到1553nm；最后用硼酸锂（LBO）晶体将两束光混合，最终生成193nm激光。

正是基于这种技术，让DUV光源的激光平均功率来到了70mW，频率为6Khz，线宽880HZ，半峰全宽小于千分之一纳米，光谱纯度与现有商用准分子激光系统相当。

与ASML的光源相比，不仅摆脱了对氟气等稀有资源的依赖，降低供应链风险，而且光刻机的体积不用那么大，不仅降低了运输成本，同时还降低了能耗表现，甚至可以将芯片的制造工艺提升到3nm节点。

3nm，什么概念？苹果今年的处理器依旧会采用台积电的3nm工艺，2nm工艺何时量产不得而知，3nm基本就要达到了芯片工艺的天花板。与7nm工艺相比，晶体管密度提升70%，功耗降低30%，更重要的是性能直接翻倍。

目前国产DUV光刻机已经通过技术认证，不管是双工件台、物镜还是机械零部件，光刻胶、掩膜版、EDA软件等配套关卡，基本已经打通，但光源必须另辟蹊径，只有这样才能规避ASML技术壁垒。

如今中科院全固态DUV光源技术诞生，一旦后续规模化应用，这场持续七年之久、没有硝烟的“芯战”，一夜之间将彻底结束！

所以，中科院的全固态DUV光源技术，不仅是一束激光，更是一把划破技术铁幕的利刃，让中国半导体产业从“跟随者”走向“破局者”。

虽然这只这场长征的一小步，但都是为未来的科技争夺战积蓄力量！

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