来源：techinsights

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当谈到3D NAND单元效率时，垂直单元效率（VCE）在NAND单元工艺、设计、集成和器件操作中尤为重要。随着堆叠总门数的增加，单元的VC孔高度也随之增加。为了减少VC高度和长宽比，其中一种方法是通过减少虚拟门、通道门和选择门的数量来提高垂直单元效率。垂直单元效率可以定义为总门数中有效单元的百分比，这意味着它可以通过有效WL数除以集成总门数来计算。

例如，一个NAND串由有效WL、通道WL（虚拟WL）和选择器（源端和漏端）组成。如果它有96个有效WL和115个总门数，那么垂直单元效率为83.5%，可以通过96除以115得到。垂直单元效率越高，对于工艺集成、较低的长宽比和较低的吞吐量越有利。

3D NAND垂直单元效率趋势：三星、SK hynix/Solidigm、美光、铠侠/西数、长江存储

三星在每一代产品中都有最高的VCE。例如，128L的单层结构VCE为94.1%，176L的COP V-NAND为92.1%，236L的第二代COP V-NAND为94.8%。

SK hynix 238L有259个总门数，VCE为91.9%，仍低于三星的236L。

长江存储232L Xtacking3的VCE为91.7%，位居第三。

美光232L为91%。

铠侠162L的VCE稍低，为88%。