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9月7日，荷兰这边出台了新的出口限制政策，他们表示：如果国内相关企业要向欧盟以外的地区，出口“比较先进的半导体比如光刻机等设备”的话，首先要先经过官方的审核和批准后才能出口。这就是在对中国进行“先进光刻机设备”制裁吗？

这种手法是美国专用的，看来荷兰政府也抵挡不住美国的压力了，只能朝中方下手了，当下全世界都在看我国的笑话。可令他们意外的是，他们刚宣布不久，中国工信部就官宣了“先进光刻机问世”的消息。

那么，我国先进光刻机的性能如何？能比得上阿斯麦吗？

其实荷兰这次走这步棋也在我们意料之内，此前“极紫外（EUV）光刻机”就已经被他们禁止出口给我国，这次他们这条禁令主要针对的是深紫外（DUV）浸没式光刻机。当然荷兰在官宣这个决策时，他们也不可能剑锋直接指向我国，他们很官方地宣布：“考虑到当下的政治情况，为了国家的安全，他们只能这么做！”

不过，司马昭之心路人皆知，荷兰这么做只能把自己的路越走越窄。但他们并不在意，毕竟全世界最先进光刻机的唯一一个厂商就在他们国家，这个厂家就是大名鼎鼎的阿斯麦。美国早在2018年就对我国主动发起了“芯片战”，他们当时就盯上了阿斯麦这家核心企业，荷兰政府也是那时就接到了指示。

我国也因此无法买到EUV，之后的几年时间内，美方还是以我国会危害他们国家安全的老掉牙借口，不断设置各种针对中方的芯片出口限制条例。去年，美国霸道地要求“阿斯麦不准向我国出口一些先进的光刻机”，荷兰政府和阿斯麦陷入纠结。

荷兰政府在犹豫，毕竟中国大陆占他们国家最大企业阿斯麦当下积压订单的两成，他们不可能不赚这个钱。在未限制前，中方也是阿斯麦的最大出口市场，要是真的对华限制了出口，无形中是在损害自己的利益。他们基于这两个原因迟迟无法下定决心，但是美国的态度又很强硬，他们确实左右为难。

阿斯麦老大富凯对此满腹怨言，他觉得美国的限制只会促使中国的技术越来越发达，他对此感到担忧。阿斯麦前老大温宁克和他持有相同看法，毕竟中方可不是“吓大”的，在这种压力下，只会让中国加快研究先进光刻机的步伐，未来说不定还能与阿斯麦的技术站在同一高度上。

到时候阿斯麦哭都没地方哭，荷兰政府也因此事和中方关系蒙上阴影，美国又能得到什么好处？那时的首相吕特每晚辗转反侧，他希望美国能再多给一些时间给荷兰考虑一下，他需要再权衡一下其中的利益损失和发展影响。

新首相斯霍夫上台后也是叫苦不迭，他表示：希望以阿斯麦的利益为考虑原点！乍一看好像荷兰政府和阿斯麦都反对美国的决策，不过从9月7日他们的行动也可看出，他们低头了，还是决定对我国下手。

就在全世界等着看中国笑话的时候，我国工信部的官宣信息扇了美国一个隐形大巴掌，也让荷兰政府和阿斯麦沉默不语。

9月9日，中方工业和信息化部的消息振奋了全国人民的心，也打了所有想看中国笑话国家的脸，一个官方通知代表着我国先进光刻机的进步和有望破掉阿斯麦独大的希望。

半导体工业从被西方封锁高新技术以来，中国每一步都走得很艰难，这次国产 DUV光刻机技术的进步，真是令人激动。更让人觉得好笑的是，荷兰政府9月7日发了限制令，我国2天后就发了技术更新的讯息，这个时间差着实妙。

严格来说，中国这个通知成文时间在9月2日，也就是说比荷兰政府颁发禁令还要早5天，只能说他们这次做法的不智。氟化氨光刻机和氟化氩光刻机的出现让我国在DUV的技术上更进一步，虽说我们距离极紫外（EUV）光刻机技术还有一段很长的路要走，但DUV的出现就是一种希望。

纵观光刻机的历史发展，从一代436nm 波长到二代波长365nm i-line，再到三代248nm 的KrF激光、四代248nm 的 KrF 激光以及五代波长134nm的氟化氩准分子激光源……这个5时代的进程着实令人感慨，尤其是第五代能够实现7nm 制程节点。

在这次通知之前，我国最先进的光刻机是上海微电子的 SSX600 系列90nm 光刻机。也有很多人好奇，我国最新光刻机与阿斯麦相比，差距大吗？

首先要先说明一点，氟化氩光刻机的套刻精度 <8nm，不代表它是8nm光刻机，这一点一定要正确理解。阿斯麦浸润式 DUV 光刻机的分辨率是小于38nm的，但是它可以完成台积电 N7 工艺的整个过程，这期间靠的就是多重曝光技术。

这种技术一般有3种，分别是LELE、LFLE 与 SADP！第一种是在同一个衬底上进行有序光刻，工艺顺序是“光刻-刻蚀-光刻-刻蚀”，优势是可以提升图形密度至少1倍。原理可以简单理解为叠加，就是把原有图形拆分成2个以上的掩膜上，之后叠加就会让图像密度更加紧实。

第二种是在第一种的工艺上缩减了一个步骤，减少的是“刻蚀”的步骤，它的工艺顺序是“光刻－固化－光刻－刻蚀”。第三种是第一种的升级工艺，一般被英特尔应用于 10nm 工艺等，它也被大家称为“自对准双重图形化！”

简而言之，套刻精度的意思就是通过“多重曝光技术”之后的一种顶级精度，换言之曝光技术决定了最后芯片的套刻精度！不过基于曝光技术的成本和良品率方面的现实考量，光刻机套刻精度小于8nm，并不代表一定就能生产出8nm工艺 的芯片。

就像此前大家常见的3nm、 5nm等工艺级别芯片，制造它们时，我们就需要用波长 13.5nm 的极紫外 EUV 光源，当下我国还没攻克这方面技术壁垒。

回归主题，我国氟化氩光刻机和阿斯麦的TWINSCAN XT:1460K性能方面是比较接近的，但是客观来说不是该领域中都需要的最先进制程。但也不是说就没用了，中国光刻机实现了分辨率≤65nm的技术突破，这对于汽车和家电等多个工业品类来说还是有很大的作用的。

中国这款国产光刻机还是很有市场的，德国汽车工业、全球芯片买家对此都是有迫切需求的。阿斯麦CEO Christophe也表示：汽车行业是很需要这种能够技术生产出来的芯片！

说实在话，我国光刻机技术和荷兰阿斯麦还是存在巨大的差距，但是只要我们稳打稳扎，总有一天可以研发出不弱于阿斯麦的EUV 光刻机！

参考信源：

1：新华网——荷兰还是下手了

2：中华人民共和国中央人民政府——工业和信息化部关于印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》的通知

3:IT之家——分辨率≤65nm，国产光刻机迎来里程碑突破

4：智通财经APP——喜大普奔！国产高端DUV光刻机突然官宣！节后抢筹概念股？