大家都知道，光刻机是芯片制造必不可少的核心设备，光刻机的先进程度决定着芯片制造的先进程度。正是因为如此，荷兰光刻机巨头ASML才会格外受到全球的关注。
ASML占据了全球90%左右的光刻机市场份额，最引以为傲的就是独家垄断EUV的生产。然而，近日消息突然传来，令ASML始料未及的是，EUV垄断快要被打破了。
目前，要制造7nm及以下制程的高端芯片，就必须要用到ASML的EUV光刻机。正是因为能够买到EUV光刻机，台积电和三星才能率先进入7nm及以下先进制程。
也正因为这个原因，美方早就盯上了光刻机，并且还严格限制ASML对华出口EUV。
其实，早在2018年初中芯国际就向ASML订购了一台EUV，价值约1.2亿美元，计划于2019年底交付。后来因为美方干涉，荷兰政府不发出口许可证，导致没有交付。
近两年，美方又扩大限制先进浸润式DUV光刻机，确实给我们发展先进芯片带来不少困难。近日，ASML总裁富凯表示，禁止EUV让大陆芯片落后西方10或15年。
同时，他又表示ASML推出的先进DUV，也能够用于生产5nm 、7nm 工艺芯片。
这似乎就有些矛盾了，因为我们如今的芯片制造水平根本可不能落后那么多，从华为回归的自研麒麟芯片就能看出，已经达到7nm水准，但EUV的重要性也不可忽视。
因此，要想实现高端制程芯片，就必须突破，实现国产EUV，并且我们也一直在为此努力。不仅我们，包括美方、日本，还有俄罗斯，都在研发绕开或超越EUV的技术。
日本佳能已经研发出了NIL纳米压印技术，能够生产5nm芯片，但只能小规模生产。
近日新消息传来，俄罗斯公布了自主研发光刻机的路线图。值得一提的是，其目标是打造比ASML系统更经济的EUV光刻机，此举极有可能会打破ASML的EUV垄断。
因为ASML目前的EUV，采用的是标准13.5nm波长的光源。而俄罗斯研发的EUV光刻机，将采用波长为11.2nm的镭射光源，将分辨率提升约20%，能够降低成本。
ASML目前是基于激光轰击金属锡液滴产生EUV光源，俄罗斯将采用11.2nm的氙基镭射光源，其曝光机还能使用硅基光阻剂，能够在较短波长下提供更出色的性能。
由此可以看出，俄罗斯在研发EUV光刻机方面走了一条新路，或许将带来新的变革。
在我们的印象中，俄罗斯方面的半导体水平非常落后，那为什么现在又有能力研发EUV光刻机呢？那是因为俄罗斯有一定的技术积累，尤其是EUV的核心技术光源方面。
上世纪70年代，苏联就掌握了EUV照相光刻技术。荷兰ASML研究EUV就用到了俄方技术，早期的光源理论就来自俄罗斯科学院，还向他们提供了大量的光学器件。
苏联解体后，俄罗斯科学家一直在默默研发，俄罗斯圣光机还是国际光源三巨头之一。
据说，俄罗斯科学的微结构物理研究所还为荷兰开发了多层镜制造技术。因此，俄罗斯研发EUV光刻机并不奇怪，人家早就有一定技术积累，所以成功的可能性还很大。
再者来说，俄罗斯一直以来在理工科方面非常厉害，拥有很多数学、物理学、化学等方面的专家，而研发光刻机正好需要这些学家，所以在EUV研发上开辟了新的思路。
要知道，华为早就在俄罗斯建立研发中心，当期的3G突破就是俄罗斯一个数学天才。
对此，有外媒直接评价道，ASML的EUV垄断快要被打破了！不仅日本研发了绕开EUV的技术道路，我们也在积极突破传统的国产EUV，连俄罗斯都要研发新模式EUV。
这下，恐怕ASML要好好“感谢”美方了，如果不是美方实施芯片制裁，限制EUV等光刻机对我们和俄罗斯出口，或许我们还会向他购买，如今自己垄断快要被打破了。
