六代机成功首飞、两栖攻击舰四川舰下水……，在2025年到来的前些天，这些消息直接成为关注的热点。同时，国内半导体领域我们也有不少好消息，值得为之自豪。
不仅是2024年国产芯片出口金额首次突破万亿元，高端EUV光刻机研发也取得了重要进展。近日，哈工大公布了一项重磅消息，令ASML始料未及，说明真要来了！
近日，ASML总裁富凯在接受媒体采访时表示，美方和荷兰共同禁止向大陆出口先进的EUV光刻机，导致大陆的芯片制造技术落后于西方10年或15年，真的很有效果！
ASML总裁的这番言论，无疑是在特别强调EUV对于先进芯片制造的作用有多么大。
的确，EUV是制造高端芯片的必不可少的半导体设备，尤其是7nm及以下先进制程工艺。尽管利用先进浸润式DUV也能制造出7nm和5nm，但成本过高、良率不高。
不过，我们基本解决了这个问题，华为自研麒麟芯片就是证明。从推出的几款麒麟芯片来看，确实达到7nm甚至更先进工艺的性能，华为也表示通过软硬优化能实现。
台积电之前7nm也没用EUV，后来EUV问世后，人家能买到，当然就使用EUV了。
如今，台积电3nm已经量产，2nm据说近日风险试产了约5000片。没有EUV，我们确实在芯片制造工艺上有差距，但也不至于像ASML总裁说的落后10年或15年。
不过，我们不得不承认EUV的重要作用。重点是，先进EUV光刻机只有ASML一家能够生产，所以人家有高傲的资本，因为连美企英特尔都要抢购ASML的高端EUV。
这可不是随便说说，台积电之所以能够成为全球晶圆代工巨头，就是因为跟ASML关系搞得好，获得了最多的EUV，加上技术领先，才获得了90%的先进制程份额。
三星为了追赶台积电，负责人专门跑到ASML总部沟通，就是为了争取更多的EUV。
然而，我们大陆企业至今不能购买到EUV。早在2018年时，中芯国际曾向ASML订购了一台EUV，价值1.2亿美元，后来由于美方阻挠，导致这台EUV至今未能到货。
因此，我们想要拥有EUV，没有别的办法，唯有加速自研，尽快实现国产EUV突破。
为了这个目标，其实我们一直在努力。在2025年到来的前两天，我国哈工大公布一则消息，“放电等离子体极紫外光刻光源”获得大赛一等奖，恐怕ASML也始料未及。
要知道，这个大赛可是科技创新成果转化大赛，并不是理论方面的研发突破，而是已经进入成果转化阶段，且项目具有能量转换效率高、造价极低、体积较小等优势。
可能大家对此不太了解，简单来说就是能够提供中心波长13.5nm的极紫外光。这下是不是有点熟悉了，ASML的EUV光刻机所用的光源就是极紫外光波长13.5nm。
也就是说，这次哈工大公布的这个项目，能够满足极紫外光刻机对光源的迫切需求。
光源有多重要呢？EUV光刻机有三大核心技术，分别是顶级光源、高精度镜头、精密仪器制造技术，也就是极紫外光源、物镜系统、双工作台，三者缺了哪个也不行。
光源在三大核心技术中排在首位。EUV用的光源还是ASML收购的美企Cymer突破。
说到这里，大家应该知道哈工大这项突破的重要意义了吧。重点是，我们不仅极紫外光源有突破，物镜系统、双工作台等也都有所突破，只不过某些情况还有些差距。
不过，这个差距正在加速缩小，相信我们不用等到ASML的EUV对华出口，我们的国产EUV光刻机大概率会在未来5年左右突破，因为我们国产突破速度一向很惊人！
对此，有外媒直接评价道，大陆的国产EUV真要来了，他们总能带来令人意想到的突破。届时ASML总裁可能又要改口了，说不定美方也不再限制他对华出货EUV了。
