众所周知，由于我国工业化起步比较晚，“缺芯少魂”就成了我国科技发展的绊脚石。加上一直抱着“造不如买”的思想，导致我国半导体领域缺乏核心技术，关键设备需要依靠进口。

也正因为如此，才使老美有了可乘之机，通过多次修改芯片规则、增加关税、列入不安全名单等手段对我国高科技企业进行打压制裁，比如华为、中兴等。尤其是华为，华为事件后，我国彻底披上了“缺芯”的“标签”。

正所谓“人穷不过三代”，在经历过被卡脖子之痛后，国内企业终于明白了一个道理，只有掌握核心技术，才能不受限制。国内许多企业纷纷开始了自主研发，联合起来共同实现半导体芯片产业国产化的目标。

并且，为了解决芯片被卡脖子的问题，国家制定了2025年实现70%芯片自给率的目标，同时还大力扶持国内芯片产业的发展。我们在半导体芯片领域所做的一切布局和努力都是为了早日实现芯片国产化，不再受制于人。

据公开资料显示，今年上半年我国国产芯片已经达到1900亿颗的产能规模，比去年同一时间增长15.3%。随着国产芯片产能的提高，我们对进口芯片的依赖也在大幅减少，在过去的9个月时间里，进口芯片减少超610亿颗。

虽然国产芯片产能得到了大幅提升，但这仅限于成熟芯片，在高端芯片领域，我们的进展依然是举步维艰，要知道，制造7nm及以下的芯片制程必须有EUV光刻机，因为目前我们还无法从ASML手中获得EUV光刻机。

不过，令人振奋的是，随着我们的不断努力，我们在半导体领域取得了一个又一个成绩，芯片领域的好消息也是接二连三地传来，为我们突破技术封锁，实现高端芯片国产化带来了新机遇。

首先，据北京日报报道，国内首条采用“多尺寸，跨材料”的光子芯片生产线已经开始筹建，预计明年可以投入量产。要知道，光子芯片在计算速度上要比电子芯片快1000倍。

关键是光子芯片所采用的基础材料与电子芯片不同，电子芯片使用的是硅片，而光子芯片采用的是InP和GaAs等二代化合物，所以光子芯片并不受EUV光刻机的限制。

虽然光子芯片目前还没有与电子芯片相抗衡的实力，但等明年生产线建成后，势必会完善相关产业链，并建成完整的消费体系。光子芯片的发展前景非常大，未来一定会成为市场主流。

其次，根据业内消息称，通富微电在封测技术上实现5nm制程的突破，已经完成客户验证。

要知道，芯粒技术是不需要EUV光刻机可以实现芯片在综合性能上得到提高的，芯粒技术是指通过集成方式，可以将不同架构的芯片进行组合，得到性能比之前单一一款芯片高的组合芯片。但对封测环节的要求比较高，必须使用先进的封测光刻机，不过，上海微电子去年就已经实现先进封测设备的量产和交付。

值得强调的是，在通富微电公布突破5nm制程技术不久，美芯片巨头AMD就主动要求延长合同到2026年。这意味着，未来五年AMD会在芯片封测技术上依赖我国企业。

最后，我们在光刻机方面已经突破90nm，5G射频芯片也取得突破性进展，中芯国际也实现了14nm芯片的规模量产。

不管是国产芯片产量不断提高，还是芯片制造上取得的突破，我们的半导体芯片国产化一直都在加速进行。对美芯的砍单和美芯巨头对中企的依赖就是最好的证明，也正因如此，美媒才会说，我们在主动认输。

正所谓“梧高凤必至,花开蝶自来”，我们强大了，掌握核心技术了，自然会有人靠过来依靠。在芯片国产化的道路上，要时刻牢记倪光南院士的忠告：“核心技术是买不来，求不来的，只有身体力行地努力实现技术突破，把核心技术掌握在自己手中，才能不受制于人”。