金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“铜金属层的形成方法”的专利，公开号CN119108342A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请公开了一种铜金属层的形成方法，包括：提供一晶圆，该晶圆上形成有半导体器件，半导体器件上方形成有层间介电层，层间介电层填充半导体器件的空隙，层间介电层中形成有沟槽该沟槽用于形成半导体器件的金属互连结构中的金属连线或接触孔；在层间介电层和沟槽表面形成阻挡层；在阻挡层上形成铜籽晶层；通过电化镀工艺在铜籽晶层上形成铜金属层；对晶圆进行洗边处理；进行至少两次退火处理，每次退火处理的温度高于前次退火的温度；进行平坦化处理，去除沟槽外的阻挡层、铜籽晶层和铜金属层。本申请能够改善铜金属层的孔洞缺陷，在一定程度上提高了产品的可靠性和良率。
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