金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“执行编程操作的半导体存储器装置”的专利，公开号CN119152915A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请涉及执行编程操作的半导体存储器装置。半导体存储器装置的页缓冲器包括位线连接晶体管、内部操作电路和多个锁存电路。在被选存储器单元的编程操作期间，电源电压被施加到位线连接晶体管以将与具有大于主验证电压的阈值电压的存储器单元连接的位线的电压设置为编程禁止电压。此外，小于编程禁止电压的第二编程允许电压被施加到位线连接晶体管。此外，小于第二编程允许电压的第一编程允许电压被施加到位线连接晶体管的栅极。
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