金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体封装结构以及封装方法”的专利，公开号CN119153449A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体封装结构及封装方法，半导体封装结构包括：基板、多个芯片和多个绝缘介质层；多个芯片，逐层堆叠在基板上；多个绝缘介质层，被同时填充于底部的芯片与基板之间的间隙，以及相邻芯片之间的间隙；其中，每个芯片的至少部分边缘设置有倒角；多个绝缘介质层均延伸至倒角形成的斜面。这样，在形成绝缘介质层的过程中，填充材料能够更容易填充芯片和基板以及相邻芯片之间的间隙。同时，能够增加绝缘介质层和芯片的接触面积，改善芯片和绝缘介质层之间的结合力，降低了半导体封装结构分层的风险，提高了封装结构的可靠性。
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