金融界2025年1月15日消息，国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司取得一项名为“一种坩埚组件及碳化硅粉料制造装置”的专利，授权公告号CN222332141U，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本申请公开了坩埚组件及碳化硅粉料制造装置，其中，坩埚组件包括坩埚和罩体，坩埚包括坩埚体和坩埚盖，坩埚体具有一腔室，坩埚体的顶端设有与腔室连通的腔室开口，坩埚盖可拆卸连接于坩埚体的顶端，用于封堵或开启腔室开口；其中，坩埚体的外壁形成有环形限位台；罩体的第一端设有一罩体开口，罩体套设于坩埚体和坩埚盖的外侧，罩体的第一端与环形限位台密封连接，且罩体、环形限位台、坩埚体的外壁和坩埚盖之间形成气密空间；提高了罩体和坩埚之间的气密性，能有效控制坩埚内气氛的外泄，提高装置的使用寿命。
天眼查资料显示，湖南三安半导体有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币，实缴资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目51次，专利信息396条，此外企业还拥有行政许可82个。
本文源自：金融界
