金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“磁性随机存储单元的形成方法”的专利，公开号CN119497394A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，一种磁性随机存储单元的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成自由层结构，所述自由层结构包括一层或多层堆叠结构，所述堆叠结构包括：第一自由层和位于第一自由层内相互分立的若干第二自由层，所述第一自由层和第二自由层的材料不同，多层所述堆叠结构沿垂直于衬底表面的方向堆叠；在自由层结构上形成隧道层；在隧道层上形成固定层。所述磁性随机存储单元可作为逻辑器件和存储器的基本单元，使得逻辑器件和存储器具有较低的功耗、较低的工作电压以及高温可靠性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元，实缴资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目49次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。
本文源自：金融界
