金融界2025年3月27日消息，国家知识产权局信息显示，上海微阱电子科技有限公司申请一项名为“一种图像传感器结构及其制作方法”的专利，公开号CN119677198A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种图像传感器结构及其制作方法，图像传感器结构包括：衬底；设于所述衬底中，并位于所述衬底表面以下的感光单元的感光区；设于所述感光区以内的所述衬底表面上的多个栅极，各所述栅极在所述衬底表面上形成按多行多列排列的栅极阵列；所述栅极阵列中，沿行向为分辨率方向，沿列向为电荷传输方向，任意一行上的各所述栅极连接至同一个控制时序上。本发明能避免在像素区域形成大面积高密度的栅极结构，并有效降低像素区域与逻辑区域的差异，提高了工艺稳定性及良率。
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