金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，晶芯成（北京）科技有限公司申请一项名为“半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器”的专利，公开号CN119698091A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器，涉及半导体制造技术领域。该半导体结构包括：基底和形成于基底表面的光电功能层；光电功能层包括光电感应层和用于将光电感应层分隔为多个光电感应区的隔离结构；光电感应区包括多个层叠设置的光电感应材料层和沿光电感应层的法线方向延伸的跨层掺杂结构；跨层掺杂结构与光电感应层掺杂类型相同；其中，跨层掺杂结构通过离子注入工艺形成；以光电感应层的法线方向为离子注入的深度方向和光电感应材料层的厚度方向，沿光电感应层的法线方向，形成跨层掺杂结构的离子注入深度至少大于与基底距离最远的光电感应材料层的厚度。
天眼查资料显示，晶芯成（北京）科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本20万人民币，实缴资本20万人民币。通过天眼查大数据分析，晶芯成（北京）科技有限公司专利信息197条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
