金融界2025年4月16日消息，国家知识产权局信息显示，中电科第三代半导体技术创新（湖南）有限公司申请一项名为“一种立式LPCVD氧化镓外延装置及氧化镓薄膜制备工艺”的专利，公开号CN119824531A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种立式LPCVD氧化镓外延装置及氧化镓薄膜制备工艺，包括：源区、外延生长区、尾排系统和冷却系统；源区和外延生长区均采用圆筒结构，且源区与外延生长区采用可拆卸密封连接，源区内设有用于盛放Ga金属的镓舟，源区用于加热Ga金属，并将含Ga蒸汽输送至外延生长区内，外延生长区用于实现基片表面镀上氧化镓薄膜；多根进气管道密封贯穿源区后延伸至外延生长区的进气端，以实现工艺气体输送至外延生长区内，外延生长区的排气端连接尾排系统，尾排系统用于排出外延生长区内的废气；冷却系统分别连接源区、外延生长区和尾排系统。本发明具有结构紧凑、维护便捷且可靠性高等特点，提高了氧化镓外延层的质量。
天眼查资料显示，中电科第三代半导体技术创新（湖南）有限公司，成立于2024年，位于长沙市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1950万人民币。通过天眼查大数据分析，中电科第三代半导体技术创新（湖南）有限公司专利信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
