在最新的投资者会议上，美光透露了HBM4开发进展顺利，下一代HBM4E内存的研发也已在进行中。
该公司进一步透露，其HBM4预计堆叠多达16个DRAM芯片，每个芯片的容量为32GB，并配备2048位宽的接口。
这使得HBM4性能比上一代HBM3E提高50%以上。
美光HBM4内存产品将在2026年实现大批量生产。
美光的下一代HBM4E产品的开发工作也正与多家客户一起顺利进行。
美光的HBM4E内存不仅会提供比HBM4更高的数据传输速度，还可根据客户的需求定制基础芯片。
美光表示，HBM4E的推出将改变存储行业，它将提供定制逻辑芯片的选项，借助台积电先进的代工制造工艺，美光将能够为特定客户提供定制化解决方案。
这种创新定制功能将推动美光业绩进一步增长。
目前HBM需求强劲，美光自己也透露，到2025年，生产线已被预订。
