台积电2纳米芯片试产接近量产标准

据PhoneArena报道，全球领先的晶圆代工厂台积电（TSMC）在其位于台湾新竹县竹科宝山的工厂进行了2纳米芯片的试产，结果显示其良率达到了60%以上。这一结果虽然略低于大规模生产所需的70%良率标准，但台积电有望在明年正式投产前将良率提升至可接受范围。

台积电计划于2025年开始大规模生产2纳米芯片。苹果公司预计将在2025年底推出的新一代iPad Pro中首次采用2纳米应用处理器，而首款搭载2纳米处理器的iPhone则可能在2026年的iPhone 19系列中出现。在此之前，苹果将继续使用台积电的3纳米节点生产2024年iPhone 17系列的A19/A19 Pro应用处理器。

2纳米工艺节点的重要性在于其能够显著提高芯片的性能和能效。台积电的2纳米节点采用了全新的Gate-All-Around（GAA）晶体管技术，这种晶体管通过垂直排列的水平纳米片包围通道的四面，相比上一代FinFET晶体管，GAA晶体管具有更低的漏电流和更高的驱动电流，从而提升了性能。

相比之下，台积电的主要竞争对手三星晶圆代工在2纳米芯片的试产中遇到了较大的挑战，其良率 reportedly 在10%到20%之间。这已经不是三星第一次因为低良率而受到打击。2022年，三星在生产高通Snapdragon 8 Gen 1芯片时因良率问题失去了高通的订单，高通随后转而选择台积电作为供应商，开发了Snapdragon 8+ Gen 1芯片。自此之后，高通的旗舰智能手机应用处理器均由台积电生产。

参考链接:

https://www.phonearena.com/news/tsmc-2nm-trial-runs-show-yields-of-60-percent_id165634