外媒:中芯国际做到了

C君科技 2022-09-15 09:33:36

文 | C君科技 排版 | C君科技

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台积电该醒醒了!一则新消息传来,中芯国际做到了

在8月1日,台积电董事长刘德音接受采访时告知媒体,我们的高阶芯片都依赖于台积电的供应,所以如果台积电无法运作会给我们带来巨大损失。这番言论在网络上引起了极大争议,主流观点认为,“不可否认,台积电在高精度芯片代工制造方面的确有独到的地方,但是这并不意味我们没了台积电就无法制造出高精度芯片”。

而刘德音的结论在于,目前中芯国际主要成熟的产线集中在55/65nm和150/180nm,这一点在中芯国际发布的2021年年报上有很好的反应,根据财报数据显示,2021年中芯国际14/28nm营收占比为15.1%,40/45nm营收占比15%,55/65nm营收占比29.2%,90nm营收占比3.2%,110/130nm营收占比5.6%,150/180nm营收占比28.7%,250/350nm营收占比3.2%。

但是,不可忽略的是,目前中芯国际在14nm和28nm产线上也在快速追赶,贡献率也是快速上升,并且根据9月14日,一则新消息传来,上海举办的“奋进新征程 建功新时代”新闻发布会上传来的讲话内容显示,上海集成电路产业规模已经达到了2500亿元,14nm工艺实现规模量产,而目前有能力在上海实现14nm芯片技术支持的就是中芯国际。

这也就是说,目前中芯国际的14nm产线正在迅速爆发,未来14nm产线带动的营收将在中芯国际的总营收中有更大的占比,这也是我们乐于看到的,毕竟中芯国际14nm产线的爆发意味着我们成功栖身高阶芯片市场。

对于中芯国际的14nm要分两个阶段来看,如果是第一代的FinFET 14nm工艺的确有些不够看,因为对比中芯国际14nm工艺代工的麒麟710A芯片和台积电12nm工艺代工的麒麟710芯片来看,台积电的晶体管密度大约为3380万/平方毫米,而中芯国际的14nm工艺则仅仅是2820万/平方毫米,这个差距自然是不言而喻的。

但是,要知道在2020年中芯国际开始加码第二代芯片代工工艺,也就是FinFET N+1工艺,根据中芯国际官方的介绍显示,N+1工艺和第一代的14nm工艺相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,Soc面积减少了55%,按照这个方式估算晶体管密度大约在7600万/平方毫米左右,而达到这个水平就意味着台积电的14nm表现理论可以达到接近台积电8nm的水准。

并且中芯国际表示,FinFET N+1工艺在2021年实现规模化量产,所以说目前来看,我们在高阶芯片领域已经有了保障,所以说,台积电真的该醒醒了,我们对于高阶芯片的制造并非是无法实现,这就像当年外界还质疑我们无法实现28nm的芯片量产一样,现在看来是多么可笑,如今中芯国际的28nm早就被突破好多年了,甚至可以说,只要等待上海微电子28nm光刻机成功突破,我们的28nm产线可以实现完全性的国产化布局。

另外,目前中芯国际还在布局FinFET N+2工艺的研发,一旦突破,将会给我们带来更大的惊喜,而这一点也有赖于梁孟松博士,如果说中芯国际的成功,最核心的两个人就是张汝京和梁孟松,张汝京创造了中芯国际,给了国内芯片制造高水平发展的平台,而梁孟松却是后来的推动者,推动着中芯国际芯片工艺水平的高端化迈进,相信在梁孟松博士和中芯国际团队的努力下,后续中芯国际追上全球一线水平只会是时间的问题,并且这个时间不会太久,毕竟曾经的梁孟松博士就带领了工艺落后的三星电子实现了翻身逆袭,让三星电子如今在芯片代工市场上有能力和台积电平分秋色。

因此,外媒也是给出评论表示,在14nm领域中芯国际做到了从无到有的大突破,接下来更高精度的突破也一定会到来,当然,目前我们所追求的不光是工艺水平的突破,由于芯片规则的改变,目前我们追求的是整个半导体产业链的突破,而在这个过程中,不光中芯国际在努力,类似于中科院、清华大学、华为、阿里巴巴等众多的企业、高校、科研单位都在努力加码,并且在每个领域都有扛大旗的领导者,相信很快台积电和刘德音就会看到,哪怕是没有台积电,我们在高阶芯片的发展上也不会出现缺失的情况,届时台积电将会为自己的傲慢感到后悔。

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