【全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，在绍兴诞生】
该枚芯片被命名为“长缨（CY - 01）”，由绍芯实验室科研团队成功研发。
“长缨（CY - 01）”采用二维 - 硅基混合架构，将二维超快闪存器件“破晓（PoX）”与成熟硅基 CMOS 工艺深度融合，依托模块化集成策略，通过“分离制造 - 单片互连”模式及高密度互连技术完成集成 。其读写操作速度快至 20 纳秒，核心存储单元擦写速度达 400 皮秒，写入每比特数据能耗仅 0.644 皮焦耳，还具备全功能芯片特性，支持 8 - bit 指令操作、32 - bit 高速并行处理与随机寻址，运行时钟频率达 5MHz，芯片制造良率高达 94.3% 。
“长缨（CY - 01）”被认为是中国集成电路领域的“源技术”，有望重塑全球存储产业格局，为人工智能、大数据等前沿领域提供更高速、更低能耗的数据支撑。
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