半导体：短期或以弱势磨底、筑底为主，谨防高开冲高回落昨日半导体表现强劲，午后指数持续拉升，板块收出中阳线，带动市场人气回暖。科创板与半导体午后同步走高，且半导体指数强于科创板——主要因科创板成分中除硬科技外还有其他方向标的，其表现拖累了科创整体涨幅，凸显半导体等硬科技是本轮反弹的先锋。但需警惕的是，昨日反弹量能较前一日萎缩，且上方均线系统快速下移，5日均线逼近K线，对后续上行形成压力。综合判断，半导体指数短期仍以弱势震荡、寻底—磨底—筑底为主，反弹持续性有待量能验证。隔夜美股走强，英伟达、特斯拉、谷歌等科技巨头集体大涨，对今日半导体方向形成积极刺激，或推动板块高开。不过，在量能未有效放大、均线压力未突破的背景下，需防范高开冲高回落的风险。操作建议仓位控制：以防守为主，避免重仓追高，耐心等待筑底信号；节奏把握：优先“低吸不追高”，回踩确认后再行介入；关注方向：聚焦高景气细分与业绩确定性强的硬科技标的。风险提示量能不足时，反弹易反复；若无法突破均线压力，需警惕二次探底风险。
