[太阳]美国最怕的事情发生了！81岁国产芯片设备巨头中微公司董事长尹志尧，放弃美国籍，恢复中国籍，带队攻克2纳米刻蚀机！外媒：“在刻蚀这个核心环节，中国已经坐上全球牌桌！” 尹志尧1944年生于北京，早年求学之路始终保持顶尖水准，中科大毕业后进入北大化学系深造，扎实的学术功底为后续技术深耕打下基础。 1980年赴美攻读加州大学洛杉矶分校物理化学博士，三年半便顺利取得学位，这样的速度在同批学子中十分少见。 毕业后的尹志尧扎根硅谷，先后任职于英特尔、泛林半导体等行业巨头，专注刻蚀设备核心研发工作，多年深耕让他手握60多项技术专利，全球半数以上刻蚀设备的核心技术都留有他的研究痕迹。 彼时的他早已跻身行业顶尖行列，百万美元年薪搭配丰厚股票期权，生活优渥安稳，还加入了美国籍，按常规轨迹足以安享晚年。 转折发生在2004年的上海半导体设备展，与江上舟的相遇改变了他的人生走向，当时江上舟身患癌症，却始终执着于推动国产刻蚀机研发，这份执念深深触动了年近六十的尹志尧。 彼时全球刻蚀机市场被美国应用材料、泛林半导体及日本东京电子垄断，市场份额占比超九成，国内相关领域完全处于空白状态，甚至有外媒断言中国二十年难以触及高端刻蚀机技术。 尹志尧毅然决定放弃硅谷的一切，带领十余名资深搭档回国，筹备创办中微半导体，创业初期的困境远超想象，刻蚀机涉及等离子体放电、反应腔设计、精密控制等多重复杂技术，每一项核心环节都被国外企业封锁。 中微半导体起步时的办公与实验场地简陋，团队成员常年高强度攻关，尹志尧以身作则扎根实验室，伴随技术突破的是鬓角不断增多的白发。 经过三年钻研，中微在2007年推出首台国产高端刻蚀机，成功应用于28纳米生产线，实现国内该领域零的突破，打破了国外技术垄断的初步壁垒。 技术迭代从未停歇，中微团队持续攻克核心难题，2018年5纳米刻蚀技术研发成功，凭借稳定性能获得台积电等国际巨头的认可，开始进入海外市场。 2019年中微在科创板挂牌上市，当天便被美国列入实体清单，遭遇技术封锁与市场限制双重压力，但制约反而成为动力，团队集中力量突破等离子体源、腔体材料、射频匹配等关键卡点，逐步实现核心部件自主可控。 2023年左右，中微7纳米刻蚀机实现稳定量产，核心部件国产化率提升至九成以上，大幅降低下游企业采购成本，2025年推出的3纳米级刻蚀设备，经客户验证良率与进口产品持平，技术水平跻身国际第一梯队。 2026年开年，中微正式宣布2纳米等离子刻蚀机实现完全自主研发，关键指标达到国际一线水平，标志着国内刻蚀设备从跟跑实现部分领跑。 尹志尧在此时选择恢复中国籍，不仅是个人身份的转变，更传递出对国内半导体产业发展的信心，他带回的不仅是核心技术，更构建了一套完整的技术研发与人才培养体系，中微已累计培养上千名本土半导体工程师，专利储备持续扩容，在全球布局多个生产与研发基地。 刻蚀设备作为芯片制造核心设备，直接影响芯片精度与良率，一块硅片需经过数百次刻蚀工序，核心技术自主可控对产业链安全至关重要。 中微的突破改变了全球刻蚀机市场格局，此前国内企业采购一台高端刻蚀机需花费数亿元，且需承受技术限制与价格垄断。 如今国产设备的普及，让华为、中芯国际等下游企业供应链稳定性显著提升，采购成本合理回落，路透社评价称，中国在刻蚀领域已从追赶者转变为全球市场的重要参与者，掌握了芯片制造核心环节的话语权。 在全球半导体产业竞争加剧的背景下，人才流动与技术突破成为关键变量，美国不断强化人才流动限制与技术封锁，却未能阻挡硅谷华人工程师的回国浪潮，尹志尧便是其中的代表性人物，中微的发展历程证明，核心技术无法依赖引进，唯有坚持自主研发与人才培养，才能突破外部制约。
