在限制别国企业发展这件事上，美国已经不打算回头了，还在想方设法扩大限制范围，将大量的半导体技术列入出口管制清单。其中就包括EUV光刻机，如果中国想获得这项技术，就需要走自研路线，不断积累沉淀，实现厚积薄发。

好的一面是，国内已经有不少科研机构，高校取得突破进展，其中哈工大宣布一项“捅破天”的技术，这引起美媒感慨：还如何制裁？

国内加紧芯片制造产业布局，对光刻机有了更多的需求。国产光刻机暂时无法进入28nm等芯片制程生产线，靠的是进口ASML光刻机。尽管国外光刻机有产量和质量保障，却容易遭受卡脖子。

ASML最先进的EUV光刻机至今无法自由出货，甚至DUV光刻机中的高端型号设备也要被限制出口。所以该认清现实了，国外的设备再好终究是国外的，要想掌握核心技术，打破技术封锁，还得靠自己。

可问题是打造EUV光刻机有多难？国产距离掌握这项技术还有多远？

打造EUV光刻机是一项非常复杂和困难的任务。EUV光刻技术需要使用极紫外光（EUV）来进行芯片制造，而这种波长非常短，只有13.5纳米，因此需要使用特殊的反射镜和光学元件来聚焦光线和进行光学校正。

这些元件需要具备非常高的精度和纯度。此外，EUV光刻技术还需要使用非常强大的光源和控制系统来保证稳定性和精确度。EUV光刻技术还需要解决许多其他问题，比如光刻胶的选择、掩模制造、光刻机的制造和维护等。

这些问题都需要高度专业的知识和技能，需要花费大量的时间和精力来解决。

中国掌握这项技术还有一定的距离，但中国在EUV光刻机技术研究方面取得了一些进展，比如哈工大宣布一项“捅破天”的技术，可应用于EUV领域，那就是“电能转化等离子体线路”技术，这使得DPP-EUV光源有望从理论走向现实。

光源是光刻机的重要组成部分，因为它直接影响到EUV光刻机的分辨率和稳定性。EUV光刻机使用的是极紫外（EUV）波长的光源，这种波长非常短，只有13.5纳米，因此需要采用非常特殊的技术来产生和控制这种波长的光。

此外，EUV光源需要具有非常高的能量和稳定性，以确保光刻机能够稳定地工作，并产生高质量的芯片。

而哈工大实现的DPP-EUV光源是EUV光刻机的光源类型，这种技术是通过在一个小的空间中注入气体并加以放电来产生等离子体，并通过等离子体来产生EUV光。

DPP-EUV光源可以产生高能量和高稳定性的EUV光，在目前的EUV光刻机中得到了广泛应用。由于DPP-EUV光源可以实现高效的光产生，所以可以大大提高EUV光刻机的生产效率。

当然，要想将这项光源技术应用于实践，还需要其它核心技术也得以攻克，毕竟光刻机的整机生产非常复杂，不是掌握某一项技术就能概括整体的。但既然能迈出第一步，就会有第二步，直到取得最终的破冰。

有美媒发出感慨，这还怎么制裁？中国不断研发，一定能取得更大的突破进展。面向未来，中国还有很多需要努力的地方，要想实现光刻机产业的自主化突破，可以从多个方面入手。

第一个方面，加大对光刻机技术研发的投入，尤其是对关键技术的攻关，如高能量DPP-EUV光源、光刻胶、光刻机控制系统等。同时，加强对光刻机相关领域的基础研究，培养和吸引更多的人才。

第二个方面，加强与国内外相关企业的合作，避免重复建设和浪费资源，形成优势互补、协同发展的局面。同时，鼓励国内企业与领先企业联合开发和生产，以提高国内企业的技术水平和市场竞争力。

当初ASML的崛起就是靠与台积电的合作，台积电帮助ASML的光刻机进行验证，并提供技术支持，此后的台积电和ASML相互成就。台积电成为ASML最大的客户，ASML也成为台积电最大的光刻机供应商。

国产厂商和国产光刻机企业之间也可以如此，研发国产光刻机的过程中进行技术验证，待国产光刻机实现落地之后，便能迅速投入商用市场，加速产业化布局。

希望能有越来越多类似哈工大“电能转化等离子体线路”技术的突破，为国产光刻机的发展添砖加瓦。

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