重大突破！中国研制出了全球首台DUV，ASML都慌神了？

荷兰的阿斯麦（ASML）公司，是全球光刻机巨头，具有行业领先水平，因为具有美国股份，也要在一定程度上受到美国的控制，这也能解释为何美国会对其下禁令，不准许把先进水平的光刻机提供给中国，阿斯麦也只能无奈接受。然而西方的垄断对中国根本不奏效，现在中国研制出全球首台DUV，这下阿斯麦都慌神了？

近期中国公布一则重要消息，“氟化氩光刻机”技术取得重大突破，这是深紫外光刻技术，标识中国在光刻机领域，已经又有新的进展，为中国国产半导体做出新的辅助。

这项技术的工作原理，是使用高压电场效应，让氟气体，氩气体混合物等，变成氟化氩准分子物质，释放出193NM的光子，成为稳定的光刻机的光源。

这个光韵达光照系统，可以均匀照射到模版上面，精刻上面的集成电路图案，要知道这些图案都是高度微缩的集成，需要精准的光刻才能实现爱你，而且整个过程需要复杂的流程，比如集成电路图案，要经过投影物镜投影到光刻胶的硅片上面，才能进行光刻胶的化学反应，然后把预先设置好的电路图形，刻蚀在芯片上面。

我国打造的全球首台DUV设备，为何让阿斯麦都慌神了？

荷兰阿斯麦公司是目前全球最大的商用光刻机的巨头公司，也拥有最先进的光刻机技术，能稳定提供产能和不同类型的产品。目前的EUV光刻机，是阿斯麦公司的主力产品，能生产7纳米以下的制程精度芯片，也领先全球的同类型设备。

如果单纯对比技术，氟化氩光刻机技术，在整体性能上还有差距，但是中国这个技术的突破，融合了自主研发的创新和提升部分，将会展示出新的技术优势，比如对比波长较长的紫外光科技，氟化氩光刻机的波长为193NM，实现波长更短的效果，提高光刻分辨率的更好的效果，能够更有辅助制造更小规格的芯片的能力，可以对集成电路的刻蚀具有更好地推动帮助。

这个技术将会在半导体芯片制造领域，达到分辨率小于65纳米，套壳分辨率小于8纳米的程度，可以生产制程精度为14NM以上的芯片，以及处理器等产品，在微机电系统，银沙电路板等其他的显示屏领域，都有着非常重要的应用场景。这将推动中国的国产芯片，冲击高端市场，也具有了充足的技术实力基础。

尤其中国的光刻机技术，在近几年来，取得了明显进展，在光源技术领域取得突破，全固态激光深紫外DUV光源系统，国产晶体能量核心，可以把激光波长精准调控到193NM，从而可以追溯摆脱对稀有气体的依赖，直接能让整个的设备运行维护成本，降低30%的幅度，这样的优化能力，让光源的稳定性可以提升40%的幅度，在刻写和检测功能方面，使用激光诱导放电等离子体技术，让EUV转换效率达到了15%，相比阿斯麦公司的激光等离子体的LPP技术，更为具有优势。

因此阿斯麦公司怎么能不慌神呢，眼看着中国已经能够找准研发光刻机核心技术的阀门，同时能稳定持续提升专业的水平，掌控更多的生产优质设备的专利技术，从而为推动中国光刻机的整体进步，都打下扎实的基础。这也能说明中国未来生产出更为先进的光刻机，只是时间问题，在技术难题面前，阻碍中国的科研，恐怕是难以实现的。

荷兰阿斯麦的慌神和担心是有依据的，看看中国在围绕半导体领域的精益求精，多个产业都在发力，共同托举光刻机产业的快速发展。

中国长春光机所，还制造出投影物镜，表面粗糙度为0.1纳米，达到了德国蔡司顶级产品的参数，这个消息也让国际社会感到震惊，华卓精科的双工件台定位精度，0.8纳米，甚至比阿斯麦的标杆产品还要精准！关键部件的不断提升精度，将会为整机的质量和性能提升品质，提供更为有效的推动力。

把每一个关键部件的水平提升，距离整机升级肯定越发提速有望。2024奶囊工信部验收我国氟化氩光刻机，占国内封装市场比例的80%，促使阿斯麦公司的同类型产品只能降价40%，同时我国中芯国际已经可以用国产的生产设备，打造出28NM芯片，良率提高到82%，和荷兰阿斯麦公司设备生产的产品良率95%快速缩短差距。

而且我国国产的EUV光刻机，将会在今年下半年有望实现试生产运行，未来还有多项技术形成合力，为推动光刻机的整体提升，打下更为坚实的基础。