SK海力士首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-Jung）在SK AI高峰会发布主题演讲，公开业界首款48G、16层HBM3E开发成果，并提到明年（2025年）初提供48 GB、16层HBM样品，这也是业界容量最大、层数最多的产品。

郭鲁正以“A New Journey in Next-Generation AI Memory: Beyond Hardware to Daily Life”（下一代AI内存新旅程：从硬件到日常生活）为题，表示过去内存存在于“个人”层面，数据是存储在个人计算机或智能手机中，现在则通过云计算服务和社交媒体渠道，高端到“连接”层面。未来随着AI进一步发展，内存将扩大到“创意”和“体验”层面。

SK海力士认为，构想“创意内存”（Creative Memory），如果没有强大算力的下一代内存支持，是无法实现的。也因此，SK海力士在业界率先开发多款“世界第一”产品，并开始量产。

郭鲁正预期16层HBM市场将从HBM4时代时开放，不过SK海力士为了确保技术稳定性，已开发出48GB、16层HBM3E，计划明年初提供样品给客户。

16层HBM3E是运用先进的MR-MUF制程生产，SK海力士也同时开发混合键合（hybrid bonding）技术作为后备技术。与12层产品相比，16层产品的训练性能提升18%、推理性能提升32%。

郭鲁正指出，SK海力士计划与全球顶尖代工厂合作，从HBM4基础芯片（base die）采逻辑制程，为客户提供最佳产品。此外，通过定制化HBM，将提供优化产品性能，反映客户对容量、带宽和功能的各种需求。

由于推动AI系统需要大幅增加服务器内存容量，SK海力士正准备CXL Fabrics，通过连接各种内存实现高容量，同时开发超大容量的eSSD，以低功耗在更小空间内存储更多数据。

同时，SK海力士也在开发内存时加入运算功能技术，克服“内存墙”（Memory Wall）问题。郭鲁正认为，处理近内存（PNM）、内存处理（PIM）、运算存储（Computational Storage）等技术是未来处理大量数据的必要技术，将改变下一代人工智能系统结构的挑战。

SK海力士也针对PC和数据中心开发LPCAMM2模块、1 cnm制程的LPDDR5和LPDDR6，充分发挥低功耗和高性能产品的竞争优势；同时准备推出PCIe第六代SSD、高容量QLC-based eSSD及UFS 5.0。

郭鲁正强调，SK海力士目标成为“全堆栈/全方位AI内存供应商”（Full Stack AI Memory Provider），即在DRAM和NAND领域拥有完整AI内存产品阵容的供应商，将推出针对AI时代系统的“Optimal Innovation”，及具业界顶尖竞争力的“Beyond Best”产品，引领AI时代来临。

（首图来源：SK海力士）