近日，根据2025 IEEE国际固态电路会议议程透露的信息，三星正开发其第十代V-NAND技术，突破了400层的技术瓶颈，三星目前的第九代3D NAND技术已达到286层。
400层以上的新技术细节
存储密度：新一代NAND芯片的密度为28 Gb/mm²，采用TLC架构。
速度提升：第九代V-NAND支持3.2 Gbps的数据传输速度，而第十代400层以上技术可支持每针脚5.6 Gbps的速度，提升幅度高达75%，能够适配PCIe 5和更快的PCIe 6接口。
创新工艺：新技术采用“WF-Bonding”（晶圆对晶圆键合）工艺，这种工艺将两个已经完成单元或电路制造的NAND晶圆结合，优化了芯片的扩展性、性能和产量。
当前，市场中已量产的最高层数为SK hynix的321层，紧随其后的是三星的286层以及美光的276层。而西部数据和铠侠的BiCS技术则量产了218层芯片，同时也在开发300层以上的BiCS 9代技术。长江存储正在开发300层的NAND芯片。
更多层的NAND技术意味着存储密度的进一步提升。目前，Solidigm则使用192层技术生产QLC芯片，并基于这些芯片推出了高达122 TB容量的SSD——Solidigm D5-P5336。
三星目前基于第七代V-NAND（176层）的BM1743 SSD已实现61.44 TB容量。随着第九代286层和第十代400层以上技术的应用，更高容量的存储设备（如256 TB甚至512 TB的SSD）将成为可能。
