3月12日，韩国媒体《朝鲜日报》发表文章称，据悉，三星电子计划在新一代NAND闪存制造工艺中使用中国长江存储的专利。三星电子签署许可协议是为了避免与“混合键合”相关的专利纠纷，预计该技术对于量产400层NAND闪存的过程至关重要。
据业界消息，三星电子与长江存储签署了3D NAND制造的“混合键合”许可协议。混合键合是一种通过铜堆叠芯片的工艺，无需使用传统上连接芯片的“凸块”，从而可以在减小芯片尺寸的同时提高性能。业界预计，随着NAND闪存的堆叠层数超过400层，混合键合将成为必不可少的工艺。
长江存储注册了混合键合专利，首次将相关技术应用于NAND闪存制造工艺。长江存储在市场份额方面远远落后于三星电子、SK海力士等全球存储半导体公司，但正在迅速追赶韩国公司，最近量产了294层NAND闪存。
分析认为，三星电子签署专利协议是为了避免未来与长江存储发生专利纠纷。三星电子与长江存储已就预计极有可能侵犯对方专利的技术提前签署了许可协议。韩国一位半导体行业相关人士表示，“在存储半导体行业，为了避免下一代产品的开发和制造发生专利纠纷，会提前签订许可协议。NAND闪存市场占有率第一的三星电子利用中国企业的专利，这一点确实证明了与中国的技术差距正在迅速缩小。”
